| 主权项 |
一种特征部之形成方法，包含：接收具有一下方层之一半导体基板；在该下方层上形成第一材料之一遮罩，其中形成该遮罩之步骤包含在该下方层上形成一遮罩层及移除该遮罩层之数部分，被移除的该遮罩层之数部分具有该移除部分之一侧边或该移除部分之底部的一不正确轮廓；修正该遮罩层的移除部分之该侧边或移除部分之底部之该轮廓，包含以下至少其中一者：移除残留在该遮罩层之移除部分之底部的多余材料，使得该移除部分之该侧边与该遮罩层之上表面之夹角介于75度与90度之间；或将一第二部分材料添加至该遮罩层之该移除部分之该侧边的一上缘，使得该移除部分之该侧边与该遮罩层之上表面之夹角介于75度与90度之间；及在该下方层中形成一特征部。如申请专利范围第1项之特征部之形成方法，更包含自该下方层移除该遮罩层。如申请专利范围第1项之特征部之形成方法，其中移除该遮罩层之数部分之该步骤包含：以光微影制程来移除该遮罩层之数部分，其中该光微影制程系就一第一临界尺寸而予以最佳化，且其中该遮罩层之该移除部分具有实质上小于该第一临界尺寸之一第二临界尺寸。如申请专利范围第1项之特征部之形成方法，其中移除该遮罩层之数部分之该步骤包含：以光微影制程来移除该遮罩层之数部分，其中该光微影制程系就一第一装置密度而予以最佳化，且其中该遮罩具有实质上大于该第一装置密度之一第二装置密度。如申请专利范围第1项之特征部之形成方法，其中移除残留在该遮罩层之该移除部分之底部的多余材料之该步骤包含进行低压蚀刻制程或选择性沉积制程至少其中一者。如申请专利范围第5项之特征部之形成方法，其中该低压蚀刻制程包含小于约70 mTorr之蚀刻处理压力。如申请专利范围第5项之特征部之形成方法，其中该选择性沉积制程包含大于约50 mTorr之沉积处理系统压力。如申请专利范围第1项之特征部之形成方法，其中将第二部分材料添加至该遮罩层之该移除部分的该侧边之上缘的步骤包含进行低压蚀刻制程或选择性沉积制程至少其中一者。如申请专利范围第1项之特征部之形成方法，更包含缩小该遮罩层中之该移除部分的经修正之该轮廓。如申请专利范围第9项之特征部之形成方法，其中缩小该遮罩层中之该移除部分的经修正之该轮廓包含将第三部份材料添加至该遮罩层之该移除部分的该侧边之上缘。如申请专利范围第9项之特征部之形成方法，其中在该下方层中所形成的该特征部系实质上等于或小于该遮罩层中之经缩小之该移除部分。如申请专利范围第1项之特征部之形成方法，其中修正该遮罩层之该移除部分的该轮廓之步骤包含：移除残留在该遮罩层之该移除部分之底部的多余材料，使得该移除部分之底部表面实质上与该遮罩层之上表面平行，并使得该移除部分之底部具有一所需宽度。一种特征部之形成方法，包含：接收具有一下方层之一基板；在该下方层上形成第一材料之一遮罩，其中形成该遮罩包含在该下方层上形成一遮罩层及移除该遮罩层之数部分，被移除的该遮罩层之数部分具有该移除部分之一侧边或该移除部分之底部的一不正确轮廓，其中该遮罩层之该移除部分系以光微影制程加以形成，该光微影制程系就一第一临界尺寸而予以最佳化，且其中该遮罩层之该移除部分具有实质上小于该第一临界尺寸之一第二临界尺寸；修正遮罩层的该移除部分之该侧边或该移除部分之底部之该轮廓，包含：移除残留在该遮罩层之该移除部分的底部之多余材料，使得该移除部分之该侧边与该遮罩层之上表面的夹角介于75度至90度之间；及将一第二部分材料添加至该遮罩层之该移除部分的该侧边之一上缘，使得该移除部分之该侧边与该遮罩层的夹角介于75度至90度之间；及在该下方层中形成一特征部。如申请专利范围第13项之特征部之形成方法，其中移除残留在该遮罩层之该移除部分的底部之多余材料系实质上与将第二部分材料添加至该遮罩层之该移除部分的该侧边之该上缘同时进行。一种在基板中形成装置之系统，包含：一处理室，用以封闭处理用之基板，该处理室连接于一气体歧管与一控制器；复数个处理气体源，流通连接于该气体歧管，而该气体歧管连接于该控制器；及该控制器包含一处方，该处方包含：用以在该基板上形成一遮罩的逻辑部份，该遮罩系由一第一材料所形成，其中用以形成该遮罩之该逻辑部份包含用以在该下方层上形成一遮罩层之逻辑部份、以及用以移除该遮罩层之数部分的逻辑部份，该遮罩层之该移除部分具有该移除部分之一侧边或该移除部分之一底部的一不正确轮廓；用以修正该遮罩层的该移除部分之该侧边或该移除部分之一底部之该不正确轮廓的逻辑部份，包含用以施行以下步骤之逻辑部份至少其中一者：移除残留在该遮罩层之该移除部分的底部之多余材料，使得该移除部分之该侧边与该遮罩层之上表面的夹角介于75度与90度之间；或将第二部分材料添加至该遮罩层之该移除部分的该侧边之一上缘，使得该移除部分之该侧边与该遮罩层之上表面的夹角介于75度与90度之间；及在该下方层中形成一特征部。如申请专利范围第15项之在基板中形成装置之系统，其中该处方更包含用以自该下方层移除该遮罩层之逻辑部份。如申请专利范围第15项之在基板中形成装置之系统，其中用以移除该遮罩层之数部分的该逻辑部份包含以光微影制程移除该遮罩层之数部分的逻辑部份，其中该光微影制程系就一第一临界尺寸而予以最佳化，且其中该遮罩层之该移除部分具有实质上小于该第一临界尺寸之一第二临界尺寸。如申请专利范围第15项之在基板中形成装置之系统，其中用以移除该遮罩层之数部分的该逻辑部份包含以光微影制程移除该遮罩层之数部分的逻辑部份，其中该光微影制程系就一第一装置密度而予以最佳化，且其中该遮罩层具有实质上大于该第一装置密度之一第二装置密度。如申请专利范围第15项之在基板中形成装置之系统，其中用以移除残留在该遮罩层之该移除部分的底部之多余材料的该逻辑部份包含以下至少其中一者：用以施加低压蚀刻制程之逻辑部份；或用以施加选择性沉积制程之逻辑部份。如申请专利范围第15项之在基板中形成装置之系统，其中该处方更包含缩小该遮罩层之该移除部分的经修正之该轮廓所用之逻辑部份。 |
