| 主权项 |
一种除频电路，其至少包含：一注入锁定式除频器电路，其于介面上包括一信号输入端、一对差模输出端、和一控制电压输入端；且其于构造上至少包括：一信号注入开关，其系以一直接注入式之电路架构连接至该注入锁定式除频器电路，用以接收该信号输入端所接收到之输入信号；一交叉耦接式双电晶体电路，其于构造上包括一对以交叉耦接方式相互连接之电晶体，用以对该信号注入开关所接收到的输入信号提供一交叉式之切换作用；以及一可变电容式调谐电路，其至少包括一可变电容电晶体电路、一第一电感性电路、和一第二电感性电路，用以依据该控制电压输入端所接收到之控制电压来提供一可变电容之调谐功能；一第一缓冲电路，其系用以对该注入锁定式除频器电路之差模正输出端所产生之输出信号提供一缓冲作用；且其于构造上至少包括一PMOS电晶体和一第三电感性电路；其中该第三电感性电路系于电路布局上与该可变电容式调谐电路中的第一电感性电路之间形成一电感耦合回授介面；以及一第二缓冲电路，其系用以对该注入锁定式除频器电路之差模负输出端所产生之输出信号提供一缓冲作用；且其于构造上至少包括一PMOS电晶体和一第四电感性电路；其中该第四电感性电路系于电路布局上与该可变电容式调谐电路中的第二电感性电路之间形成一电感耦合回授介面。如申请专利范围第1项所述之除频电路，其中该信号注入开关包括一NMOS电晶体。如申请专利范围第1项所述之除频电路，其中该交叉耦接式双电晶体电路信号注入开关包括一对交叉耦接式之PMOS电晶体。如申请专利范围第1项所述之除频电路，其中该可变电容式调谐电路包括一对闸极相连式之NMOS电晶体。 |
