| 主权项 |
一种薄膜电晶体之制造方法，包括：提供一基板；于该基板上形成一图案化多晶矽层；于该图案化多晶矽层上形成一闸绝缘层，以覆盖该图案化多晶矽层；于该闸绝缘层上形成一闸极层；以该闸极层为罩幕，对该图案化多晶矽层进行一第一掺杂制程，以使未被该闸极层遮蔽之图案化多晶矽层分别形成一第一浅掺杂区与一第二浅掺杂区；于该闸绝缘层与该闸极层上形成一保护层，并使该保护层与该闸绝缘层中形成一第一接触窗开口与一第二接触窗开口，其中该第一接触窗开口与该第二接触窗开口分别暴露出部分之第一浅掺杂区与部分之第二浅掺杂区；对暴露出之该第一浅掺杂区与该第二浅掺杂区进行一第二掺杂制程，以分别形成一源极区与一汲极区；以及于该保护层上形成一源极层与一汲极层，其中该源极层与该汲极层分别藉由该第一接触窗开口与该第二接触窗开口，而与该图案化多晶矽层之源极区与汲极区电性连接。如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体之制造方法，更包括在形成该保护层之第一接触窗开口与第二接触窗开口前，会先形成一图案化光阻层于该保护层上。如申请专利范围第2项所述之薄膜电晶体之制造方法，其中该第二掺杂制程是以该图案化光阻层为罩幕。如申请专利范围第3项所述之薄膜电晶体之制造方法，其中形成该源极层与该汲极层前，会移除该图案化光阻层。如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体之制造方法，其中该第一掺杂制程与该第二掺杂制程为N型离子掺杂制程。如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体之制造方法，其中该第一掺杂制程与该第二掺杂制程为P型离子掺杂制程。如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体之制造方法，其中该源极层与该汲极层之材料包括铝、铜、铬、银或钼。 |
