| 主权项 |
一种记忆体单元，包括：一第一负载单元，该第一负载单元之第一端耦接一第一电压，该第一负载单元之第二端耦接一第一接点；一第二负载单元，该第二负载单元之第一端耦接该第一电压，该第二负载单元之第二端耦接一第二接点；一第一金氧半电晶体，该第一金氧半电晶体之第一端耦接该第一接点，该第一金氧半电晶体之第二端耦接一第二电压，该第一金氧半电晶体之闸极端耦接该第二接点；一第二金氧半电晶体，该第二金氧半电晶体之第一端耦接该第二接点，该第二金氧半电晶体之第二端耦接一第三电压，该第二金氧半电晶体之闸极端耦接该第一接点；一第一非挥发性装置，具有分离式闸极结构，该第一非挥发性装置之控制闸极端耦接一第一控制偏压，该第一非挥发性装置之选择闸极端耦接一第一选择偏压，该第一非挥发性装置之第一端耦接该第一接点，该第一非挥发性装置之第二端耦接一第一位元线；以及一第二非挥发性装置，具有分离式闸极结构，该第二非挥发性装置之控制闸极端耦接一第二控制偏压，该第二非挥发性装置之选择闸极端耦接一第二选择偏压，该第二非挥发性装置之第一端耦接该第二接点，该第二非挥发性装置之第二端耦接一第二位元线。如申请专利范围第1项所述之记忆体单元，其中该第一非挥发性装置与该第二非挥发性装置分别包括：一基底，具有一源极区和一汲极区；一电荷储存层，配置于该基底之部分区块上；一控制闸极，配置于该电荷储存层上；一选择闸极，覆于该基底之部分区块上与该控制闸极之部分区块上；以及至少一闸介电层，配置于该选择闸极与该基底之间、该选择闸极与该电荷储存层之间以及该选择闸极与该控制闸极之间。如申请专利范围第2项所述之记忆体单元，其中该电荷储存层依序由氧化层、氮化层与氧化层所构成。如申请专利范围第3项所述之记忆体单元，其中该氧化层之材质包括氧化矽。如申请专利范围第3项所述之记忆体单元，其中该氮化层之材质包括氮化矽。如申请专利范围第2项所述之记忆体单元，其中该电荷储存层依序由氧化层、氮化层、氧化层、氮化层、氧化层所构成。如申请专利范围第6项所述之记忆体单元，其中该氧化层之材质包括氧化矽。如申请专利范围第6项所述之记忆体单元，其中该氮化层之材质包括氮化矽。如申请专利范围第2项所述之记忆体单元，其中该闸介电层之材质包括氧化矽。如申请专利范围第1项所述之记忆体单元，其中该第一非挥发性装置与该第二非挥发性装置分别包括：一基底，具有一源极区和一汲极区；一浮置闸极，配置于该基底之部分区块上；一控制闸极，配置于该浮置闸极之部分区块上；一选择闸极，覆于该基底之部分区块上与该浮置闸极之部分区块上；以及至少一闸介电层，配置于该选择闸极与该基底之间、该选择闸极与该浮置闸极之间、该基底与该浮置闸极之间以及该浮置闸极与该控制闸极之间。如申请专利范围第10项所述之记忆体单元，其中该闸介电层之材质包括氧化矽。如申请专利范围第1项所述之记忆体单元，其中该第一负载单元与该第二负载单元为空乏型电晶体、P型金氧半电晶体、薄膜电晶体或电阻。如申请专利范围第1项所述之记忆体单元，其中该第一金氧半电晶体与该第二金氧半电晶体为N型金氧半电晶体。一种非挥发性装置之制造方法，该非挥发性装置适用于一记忆体单元，该记忆体单元包括一负载单元与一金氧半电晶体，该制造方法包括：提供一基底，该基底具有一源极区和一汲极区；形成一电荷储存层于该基底之部分区块上；形成一控制闸极于该电荷储存层上；形成一闸介电层覆于该基底之部分区块上与该控制闸极之部分区块上；形成一选择闸极于该闸介电层上；电性连接该源极区至一位元线；以及电性连接该汲极区至一接点，而该接点透过该负载单元电性连接一电压，且该接点电性连接该金氧半电晶体，其中该非挥发性装置具有分离式闸极结构。如申请专利范围第14项所述之非挥发性装置之制造方法，其中形成该电荷储存层于该基底之部分区块上更包括：形成一第一氧化层于该基底上；形成一氮化层于该第一氧化层上；以及形成一第二氧化层于该氮化层上。如申请专利范围第14项所述之非挥发性装置之制造方法，其中形成该电荷储存层于该基底之部分区块上更包括：形成一第一氧化层于该基底上；形成一第一氮化层于该第一氧化层上；形成一第二氧化层于该第一氮化层上；形成一第二氮化层于该第二氧化层上；以及形成一第三氧化层于该第二氮化层上。一种非挥发性装置之制造方法，该非挥发性装置适用于一记忆体单元，该记忆体单元包括一负载单元与一金氧半电晶体，该制造方法包括：提供一基底，该基底具有一源极区和一汲极区；形成一第一闸介电层于该基底之部分区块上；形成一浮置闸极于该第一闸介电层上；形成一第二闸介电层于该浮置闸极之部分区块上；形成一控制闸极于该第二闸介电层上；形成一第三闸介电层覆于该基底之部分区块上与该浮置闸极之部分区块上；形成一选择闸极于该第三闸介电层上电性连接该源极区至一位元线；以及电性连接该汲极区至一接点，而该接点透过该负载单元电性连接一电压，且该接点电性连接该金氧半电晶体，其中该非挥发性装置具有分离式闸极结构。 |
