发明名称 薄化晶圆之方法及支持板
摘要
申请公布号 TWI348188 申请公布日期 2011.09.01
申请号 TW096119388 申请日期 2007.05.30
申请人 东京应化工业股份有限公司 发明人 中村彰彦;宫成淳;稻尾吉浩;岩田泰昌
分类号 H01L21/304;H01L21/683 主分类号 H01L21/304
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种薄化晶圆之方法,其特征为:将藉由接着构件而密着于前述晶圆且具备有贯通孔的支持板中之未与前述晶圆密着之面上的前述贯通孔之开口部的全部,以具备有100μm以上之厚度的由胶带所成之凹坑防止构件来作堵塞,一面经由前述凹坑防止构件来将前述支持板作真空吸着,一面研削/研磨前述晶圆。如申请专利范围第1项所记载之薄化晶圆之方法,其中,在前述研削/研磨之后,将前述凹坑防止构件取下,并使特定之剥离液通过前述贯通孔而与前述接着构件接触,而将前述支持板自前述晶圆剥离。一种支持板,系与晶圆间挟持着接着构件来将晶圆作面支持的支持板,其特征为,具备有:贯通孔,系在与前述晶圆密着的范围内具备有开口部;和凹坑防止构件,系由胶带所成,并被构成为将贯通至前述开口部之前述贯通孔的第2开口部之全部作堵塞并隐藏的大小,且为装着脱离式,并且厚度被形成为100μm以上,且藉由黏着力而被贴合在前述支持板上。
地址 日本