| 主权项 |
一种用于在一无线通信器件中可选择地耦合一负载至一电源之电子电路，该电路包含：一负载电路，其由至少一场效电晶体(FET)器件组成；一头交换，其由至少一N通道FET(N-FET)器件组成并系耦合于一电源供应与该负载电路之间，其中该头交换可操作以在致动该头交换时将该电源供应耦合至该负载电路，而在停用该头交换时从该负载电路切断该电源供应；一充电帮浦，其系耦合至该头交换，依据一充电帮浦控制信号，可选择地致动该充电帮浦，且依据至少一部份该充电帮浦控制信号，该充电帮浦可操作以控制该头交换；一类比至数位转换器(ADC)，其系耦合至该头交换；以及一控制器，其系耦合至该ADC与该充电帮浦，其中该控制器、该充电帮浦、该头交换及该ADC系耦合为一回授组态以实施一数位电压调整器，其中该ADC可操作以将该头交换提供给该负载电路之一负载供应电压转换成一数位信号，其中该控制器可操作以依据来自该ADC之该数位信号以及一数位目标值而提供用于该充电帮浦之一数位控制，而且其中该数位控制藉由该头交换提供给该负载电路之一负载供应保持于一选定电压。如请求项1之电子电路，其中用于该头交换之一充电帮浦输出信号在致动该头交换时具有一第一电压而在停用该头交换时具有一第二电压。如请求项2之电子电路，其中该第一电压高于该电源供应之一电压。如请求项2之电子电路，其中该第一电压等于或高于该电源供应之一电压加上该至少一N-FET器件之一临界电压。如请求项2之电子电路，其中该第一电压引起横跨该至少一N-FET器件之一汲极至源极电压降，其小于该至少一N-FET器件之一临界电压。如请求项1之电子电路，其中该至少一N-FET器件系制造成具有一高临界电压。如请求项1之电子电路，其中将该至少一N-FET器件之尺寸大小设计成将该头交换之功率消耗限制于该头交换与负载电路之总功率之一预定百分比内。如请求项1之电子电路，其中该头交换包含复数个N-FET器件。如请求项1之电子电路，其中该数位目标值系可程式化以获得用于该负载供应之不同电压。如请求项1之电子电路，其中该充电帮浦包括复数个级，而其中该数位控制致动该等复数个级中的选定级。如请求项1之电子电路，其中该负载电路系一微处理器。如请求项1之电子电路，其中该负载电路系一数位信号处理器。如请求项1之电子电路，其中该负载电路系一记忆体单元。如请求项1之电子电路，其中该负载电路系一类比电路。一种用于在一无线通信器件中可选择地耦合一负载至一电源之积体电路，该积体电路包含：一负载电路，其由至少一场效电晶体(FET)器件组成；一头交换，其由至少一N通道FET(N-FET)器件组成并系耦合于一电源供应与该负载电路之间，其中该头交换可操作以在致动该头交换时将该电源供应耦合至该负载电路，而在停用该头交换时从该负载电路切断该电源供应；一充电帮浦，其系耦合至该头交换，依据一充电帮浦控制信号，可选择地致动该充电帮浦，且依据至少一部份该充电帮浦控制信号，该充电帮浦可操作以控制该头交换；一类比至数位转换器(ADC)，其系耦合至该头交换；以及一控制器，其系耦合至该ADC与该充电帮浦，其中该控制器、该充电帮浦、该头交换及该ADC系耦合为一回授组态以实施一数位电压调整器，其中该ADC可操作以将该头交换提供给该负载电路之一负载供应电压转换成一数位信号，其中该控制器可操作以依据来自该ADC之该数位信号以及一数位目标值而提供用于该充电帮浦之一数位控制，而且其中该数位控制藉由该头交换提供给该负载电路之一负载供应保持于一选定电压。如请求项15之积体电路，其中该负载电路实施一微处理器。如请求项15之积体电路，其中该负载电路实施一静态随机存取记忆体(SRAM)。如请求项15之积体电路，其中该负载电路实施一数位信号处理器(DSP)。如请求项15之积体电路，其中该积体电路系藉由0.13μm或更小之一互补金属氧化物半导体(CMOS)技术而制造。一种用于可选择地耦合一负载至一电源之无线器件，其包含：一负载电路，其由至少一场效电晶体(FET)器件组成；一头交换，其由至少一N通道FET(N-FET)器件组成并系耦合于一电源供应与该负载电路之间，其中该头交换可操作以在致动该头交换时将该电源供应耦合至该负载电路，而在停用该头交换时从该负载电路切断该电源供应；一充电帮浦，其系耦合至该头交换，依据一充电帮浦控制信号，可选择地致动该充电帮浦，且依据至少一部份该充电帮浦控制信号，该充电帮浦可操作以控制该头交换；一类比至数位转换器(ADC)，其系耦合至该头交换；以及一控制器，其系耦合至该ADC与该充电帮浦，其中该控制器、该充电帮浦、该头交换及该ADC系耦合为一回授组态以实施一数位电压调整器，其中该ADC可操作以将该头交换提供给该负载电路之一负载供应电压转换成一数位信号，其中该控制器可操作以依据来自该ADC之该数位信号以及一数位目标值而提供用于该充电帮浦之一数位控制，而且其中该数位控制藉由该头交换提供给该负载电路之一负载供应保持于一选定电压。如请求项20之器件，其中该通讯系统系一分码多向近接(CDMA)通讯系统。一种用于可选择地耦合一负载至一电源之方法，其包含：使用一负载而负载一电路，该负载包含至少一场效电晶体(FET)器件；使用至少一N通道FET(N-FET)器件而将一电源供应耦合至该负载；使用一充电帮浦输出信号控制该至少一N通道FET(N-FET)；将该至少一N通道FET(N-FET)之一输出转换为一数位信号；以及使用一回授组态以实施一数位电压调整器，并依据来自该数位信号以及一目标值而提供该充电帮浦之一数位控制，其中该数位控制藉由该至少一N通道FET(N-FET)提供给该负载之一负载供应保持于一选定电压。一种用于可选择地耦合一负载至一电源之装置，其包含：用于使用一负载而负载一电路之构件，该负载包含至少一场效电晶体(FET)器件；用于使用至少一N通道FET(N-FET)器件而将一电源供应耦合至该负载之构件；用于使用一充电帮浦输出信号控制该至少一N通道FET(N-FET)之构件；用于将该至少一N通道FET(N-FET)之一输出转换为一数位信号之构件；以及用于使用一回授组态以实施一数位电压调整器，并依据来自该数位信号以及一目标值而提供该充电帮浦之一数位控制之构件，其中该数位控制藉由该至少一N通道FET(N-FET)提供给该负载之一负载供应保持于一选定电压。 |
