发明名称 基板处理装置及基板处理方法
摘要
申请公布号 TWI348189 申请公布日期 2011.09.01
申请号 TW096133189 申请日期 2007.09.06
申请人 栗田工业股份有限公司;大斯克琳制造股份有限公司 发明人 永井达夫;森田博志;高桥弘明;内田博章;林豊秀
分类号 H01L21/306;H01L21/312 主分类号 H01L21/306
代理机构 代理人 赖经臣 台北市松山区南京东路3段346号11楼;宿希成 台北市松山区南京东路3段346号11楼
主权项 一种基板处理装置,其特征在于包括有:基板保持手段,其系保持着基板;过硫酸生成手段,其系使用硫酸而生成过硫酸;混合手段,其系将利用上述过硫酸生成手段所生成的过硫酸、与较上述过硫酸生成手段所使用之硫酸更高温且高浓度的硫酸进行混合;以及吐出手段,其系将利用上述混合手段所混合的过硫酸与硫酸之混合液,当作用以从基板上将光阻去除的处理液,朝上述基板保持手段所保持的基板吐出。如申请专利范围第1项之基板处理装置,其中,上述过硫酸生成手段系具备有用以将硫酸进行电分解的电分解槽。如申请专利范围第2项之基板处理装置,其中,上述电分解槽系具有由钻石形成的电极。如申请专利范围第1项之基板处理装置,其中,上述过硫酸生成手段系具备有使臭氧溶解于硫酸中的臭氧溶解手段。如申请专利范围第1项之基板处理装置,其中,上述基板保持手段系保持着1片基板并同时进行旋转。一种基板处理方法,其特征为包括有:过硫酸生成步骤,其系使用硫酸而生成过硫酸;以及供应步骤,其系使上述过硫酸生成步骤中所生成的过硫酸、与较上述过硫酸生成步骤所使用之硫酸更高温且高浓度的硫酸相混合,将该混合液在刚混合后,当作用以从基板上将光阻去除的处理液,马上供应给基板。如申请专利范围第6项之基板处理方法,其中,上述过硫酸生成步骤所使用的硫酸浓度系2~11mol/l。如申请专利范围第6项之基板处理方法,其中,上述供应步骤中,上述混合液中的过硫酸浓度系10~150g/l。
地址 日本