| 主权项 |
一种具有校正功能的电子装置，包含有：一处理电路，用以处理于一输入节点所接收之一输入讯号；至少一静电放电保护单元，耦接于该输入节点与一电压供应节点之间，用以消除该输入节点的静电放电脉冲；以及一开关单元，耦接于该静电放电保护单元且不直接连接于该处理电路之该输入节点，用以接收一校正讯号，并依据一控制讯号来选择性地经由该静电放电保护单元传送该校正讯号，用以作为该处理电路之该输入讯号。如申请专利范围第1项所述之电子装置，其中该输入讯号系为一射频讯号。如申请专利范围第2项所述之电子装置，系为一直接降频接收器，用以直接将该射频讯号降频转换为一基频讯号。如申请专利范围第1项所述之电子装置，其中该电子装置包含有：一内部讯号产生器，耦接于该开关单元，用以产生该校正讯号。如申请专利范围第1项所述之电子装置，其中该静电放电保护单元包含有复数个串接的二极体，且该开关单元系直接连接于该复数个串接的二极体中一二极体之一p型掺杂区域。如申请专利范围第5项所述之电子装置，其中该开关单元系为一N型金氧半电晶体，该N型金氧半电晶体具有一闸极用以接收该控制讯号，一第一端连接于该二极体之该p型掺杂区域，以及一第二端用以接收该校正讯号。一种具有校正功能的电子装置，其包含有：一处理电路，用以处理于一输入节点所接收之一输入讯号；至少一静电放电保护单元，耦接于该输入节点与一电压供应节点之间，用以消除该输入节点的静电放电脉冲，该静电放电保护单元包含有：一金氧半电晶体，包含有：一闸极，耦接于一控制讯号；一第一端，耦接于该输入节点；一本体；以及一第二端，耦接于该本体；以及至少一二极体，串接于该金氧半电晶体；其中该金氧半电晶体系接收由该第二端输入之一校正讯号，并依据该控制讯号选择性地传送该校正讯号以作为该处理电路之该输入讯号。如申请专利范围第7项所述之电子装置，其中该输入讯号系为一射频讯号。如申请专利范围第8项所述之电子装置，系为一直接降频接收器，用以直接将该射频讯号降频转换为一基频讯号。如申请专利范围第7项所述之电子装置，其中该电子装置包含有：一内部讯号产生器，耦接于该金氧半电晶体之该第二端，用以产生该校正讯号。如申请专利范围第7项所述之电子装置，其中该金氧半电晶体系为一P型金氧半电晶体，该第一端系为一汲极，以及该第二端系为一源极。如申请专利范围第7项所述之电子装置，其中该金氧半电晶体系为一N型金氧半电晶体，该第一端系为一汲极，以及该第二端系为一源极。一种用以校正一电子装置的方法，其包含有：提供一处理电路，并利用该处理电路处理于一输入节点所接收之一输入讯号；耦接至少一静电放电保护单元于该输入节点与一电压供应节点之间，并利用该静电放电保护电路消除该输入节点之静电放电脉冲；耦接一开关单元于该静电放电保护单元；在一校正模式下，开启该开关单元以经由该静电放电保护单元传送一校正讯号来作为该处理电路之该输入讯号；以及在一正常模式下，根据该控制讯号来关闭该开关单元。如申请专利范围第13项所述之方法，其中该输入讯号系为一射频讯号。如申请专利范围第14项所述之方法，其中该电子装置系为一直接降频接受器，用来直接将该射频讯号降频转换为一基频讯号。如申请专利范围第13项所述之方法，其中提供该处理电路之步骤进一步包含有：提供该电子装置一内部讯号产生器，并利用该内部讯号产生器产生该校正讯号。如申请专利范围第13项所述之方法，进一步包含有：提供该静电放电保护单元复数个串接的二极体；以及直接连接该开关单元于该复数个串接的二极体中一二极体之一P型掺杂区域。一种用以校正一电子装置之方法，包含有：提供一处理电路，并利用该处理电路处理于一输入节点所接收之一输入讯号；耦接至少一静电放电保护单元于该输入节点与一电压供应节点之间，用以消除该输入节点之静电放电脉冲，该静电放电保护单元包含有：一金氧半电晶体，其包含有：一闸极，耦接于一控制讯号；一第一端，耦接于该输入节点；一本体；以及一第二端，耦接于该本体；以及至少一二极体，串接于该金氧半电晶体；在一校正模式下，根据该控制讯号来导通该金氧半电晶体以传送由该第二端输入之一校正讯号来作为该处理电路之该输入讯号；以及在一正常模式下，根据该控制讯号来关闭该金氧半电晶体。如申请专利范围第18项所述之方法，其中该输入讯号系为一射频讯号。如申请专利范围第19项所述之方法，其中该电子装置系为一直接降频接受器，用以直接将该射频讯号降频转换为一基频讯号。如申请专利范围第18项所述之方法，其中提供该处理电路之步骤另包含有：提供该电子装置一内部讯号产生器，并使用该内部讯号产生器产生该校正讯号。 |
