| 主权项 |
一种奈米微影方法，包含以下步骤：(a)于一第一导电基板顶面由下往上依序沉积一绝缘介电层与一导电金属层，并于该金属层顶面被覆一可感应电子或极紫外光的第一阻剂层；(b)以电子束或极紫外光照射第一阻剂层，使第一阻剂层之局部区域被电子束或极紫外光感应而构成一具奈米等级之线宽的图样区，并将图样区及图样区正下方的金属层与介电层区域蚀刻掉，使第一导电基板对应位于图样区之区域外露；(c)于第一导电基板顶面外露区域成长多数与第一导电基板电连接且相配合构成一图样之直立奈米线，并将第一阻剂层移除而构成一奈米线图罩；及(d)将步骤(c)之奈米线图罩与一表面被覆有一可感应电子之第二阻剂层的第二导电基板置于一制程环境中，使奈米线图罩之金属层与该等奈米线末端间隔面向第二阻剂层，并于第一导电基板与金属层间施加一脉冲电压，驱使该等奈米线发射电子，且于该等导电基板间施加一可诱使该等电子射向第二阻剂层之电场，使第二阻剂层被该等电子感应之区域构成一与奈米线图罩之图样相同之另一图样。依据申请专利范围第1项所述之奈米微影方法，其中，步骤(c)是于该第一导电基板顶面外露之部位沉积一层奈米线种晶层后，再驱使该奈米线种晶层成长出该等奈米线。依据申请专利范围第1项所述之奈米微影方法，其中，奈米线尖端外径介于0.1~1奈米。依据申请专利范围第1、2或3项所述之奈米微影方法，其中，步骤(d)之奈米线图罩的金属层与该第二导电基板间之间距小于等于2公分。依据申请专利范围第4项所述之奈米微影方法，其中，步骤(d)之奈米线图罩与第二导电基板是呈上、下间隔状，且被覆于第二导电基板顶面之第二阻剂层是位于该等奈米线正下方。依据申请专利范围第3项所述之奈米微影方法，其中，步骤(d)施加于第一导电基板与金属层间之脉冲电压值介于0.1~5伏特间。依据申请专利范围第6项所述之奈米微影方法，其中，步骤(d)之制程环境为一真空环境。 |
