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一种高孔隙率毛细结构之制造法，系包含以下程序：预备程序：预先成型备制一具导电可组合成一中空密闭容器的容器基材与盖板基材，若为不导电材料则须预先做导电化处理；电化学反应程序：设一电化学反应槽及一电源，于其化学反应槽内填充电解液，将密闭容器的容器基材与盖板基材不需生成毛细结构体的部位先以绝缘材料遮蔽，并予连接电源之负极，而电源正极连接于电解料体，一同置于电解液中；启动电源即可于容器基材与盖板基材表面快速生成(镀上)一层预定厚度之高孔隙率毛细结构体者；又可在基材所生成有高孔隙率毛细结构体上，覆盖一支撑柱形状之绝缘母模，再予电镀生成一所需高度之高孔隙率毛细结构体支撑柱者；成品程序：将生成有高孔隙率毛细结构体的容器基材与盖板基材组合封装成一密闭容器，而于其内部抽真空并注入工作流体。如申请专利范围第1项所述之高孔隙率毛细结构之制造法，其中，电解液可为一种硫酸铜水溶液(其他常用配合电解料体所使用之电解液)。如申请专利范围第1项所述之高孔隙率毛细结构之制造法，其中，电解料体可为纯铜、镍、铝等纯金属或合金。如申请专利范围第1项所述之高孔隙率毛细结构之制造法，其中，散热鳍片可为铜、铝、镍、铁等纯金属或合金。如申请专利范围第1项所述之高孔隙率毛细结构之制造法，其中，基材可预先与散热鳍片接合。如申请专利范围第1项所述之高孔隙率毛细结构之制造法，其中，导电基材可为铜、铝、镍、铁等纯金属或合金。如申请专利范围第6项所述之高孔隙率毛细结构之制造法，其中，导电基材可为经导电化表面处理之材料如晶片或电子元件等。如申请专利范围第1项所述之高孔隙率毛细结构之制造法，其中，可在基材已生成有高孔隙率毛细结构体上，覆盖一支撑柱形状之绝缘母模，再予电镀生成一所需高度之高孔隙率毛细结构体支撑柱者。如申请专利范围第1、2、3、4、5、6、7或8项所述之高孔隙率毛细结构之制造法，其中，所形成之毛细结构体之显微结构可为点状、纤维状、树枝状，以及上述之混合结构，结构体之组织可经由电流之大小调整生成所需之组织。 |
