| 主权项 |
一种玻璃基板之静电吸附装置，其系包含：吸附板，其系内部配置有至少一个以上之第一电极及至少一个以上之第二电极，并由介电体形成；第一电源，其系对上述第一电极施加电压；第二电源，其系对上述第二电极施加与上述第一电极反极性之电压；吸附检测机构，其系检测玻璃基板吸附于上述吸附板；温度检测机构，其系测定或预测上述玻璃基板之温度；及控制机构，其系依来自上述吸附检测机构、上述温度检测机构之检测结果，控制上述第一电源、上述第二电源之电压；藉由对上述第一电极、上述第二电极施加电压，使上述玻璃基板静电吸附于上述吸附板、或使上述玻璃基板由上述吸附板脱离者；其特征为：上述控制机构系预设上述玻璃基板之大小、比重、电阻率，并预设上述玻璃基板吸附所需之吸附时间、吸附保持上述玻璃基板之保持时间、上述玻璃基板脱离所需之脱离时间；依上述玻璃基板之大小、比重及上述吸附时间，求得上述玻璃基板吸附所需之吸附力；依由上述电阻率及上述温度检测机构所测定或预测之上述玻璃基板温度，求得为了得到上述吸附力而所需之吸附电压，并求得为了保持吸附之保持电压及为了脱离吸附之脱离电压；在上述吸附电压施加后，在藉由上述吸附检测机构检测出上述玻璃基板吸附时，测定上述玻璃基板吸附所需之实测吸附时间；比较预设之吸附时间及上述实测吸附时间，当预设之吸附时间及上述实测吸附时间不同时，依上述实测吸附时间，重新计算上述保持电压及上述脱离电压；利用重新计算之保持电压及脱离电压，控制上述玻璃基板之吸附维持及脱离。如请求项1之玻璃基板之静电吸附装置，其中上述控制机构使上述吸附电压、上述保持电压、上述脱离电压之至少一者随时间而渐减。如请求项1或2之玻璃基板之静电吸附装置，其中将上述吸附检测机构作为测定流到上述第一电极之电流之第一电流计、或测定流到第二电极之电流之第二电流计之至少一方；并且上述控制机构检测流到上述第一电流计或上述第二电流计之电流值变化，而检测出上述吸附板上吸附有上述玻璃基板。如请求项1或2之玻璃基板之静电吸附装置，其中将上述吸附检测机构作为设于上述吸附板之吸附面附近之位置感测器；并且上述控制机构使用上述位置感测器来检测出上述吸附板上吸附有上述玻璃基板。如请求项1或2之玻璃基板之静电吸附装置，其中更进一步设置预测或测定上述玻璃基板之变形量之变形检测机构；上述控制机构依据所预测或测定之上述玻璃基板之变形量，求得上述吸附力。如请求项1或2之玻璃基板之静电吸附装置，其中设有被覆上述吸附板之吸附面以外之表面并接地之导电性构件。一种玻璃基板之吸附脱离方法，其特征为：预设玻璃基板之大小、比重、电阻率，并预设上述玻璃基板吸附所需之吸附时间、吸附保持上述玻璃基板之保持时间、上述玻璃基板脱离所需之脱离时间；依上述玻璃基板之大小、比重及上述吸附时间，求得上述玻璃基板吸附所需之吸附力；测定或预测上述玻璃基板之温度；依上述电阻率及所测定或预测之上述玻璃基板温度，求得为了得到上述吸附力而所需之吸附电压，并求得为了保持吸附之保持电压及为了脱离吸附之脱离电压；在上述吸附电压施加后，检测上述玻璃基板对上述吸附板之吸附，而测定上述玻璃基板吸附所需之实测吸附时间；比较预设之吸附时间及上述实测吸附时间，当预设之吸附时间及上述实测吸附时间不同时，依上述实测吸附时间，重新计算上述保持电压及上述脱离电压；对由介电体所形成之吸附板内部所配置且彼此成为相反极性的至少一个以上之第一电极及至少一个以上之第二电极，施加重新计算之保持电压及脱离电压，进行上述玻璃基板之吸附维持及脱离。如请求项7之玻璃基板之吸附脱离方法，其中使上述吸附电压、上述保持电压、上述脱离电压之至少一者随时间而渐减。如请求项7或8之玻璃基板之吸附脱离方法，其中检测流到上述第一电极或上述第二电极之电流值之至少一方之变化，而检测出上述玻璃基板对上述吸附板之吸附。如请求项7或8之玻璃基板之吸附脱离方法，其中藉由设于上述吸附板之吸附面附近之位置感测器，检测上述玻璃基板对上述吸附板之吸附。如请求项7或8之玻璃基板之吸附脱离方法，其中预测或测定上述玻璃基板之变形量，依据所预测或测定之上述玻璃基板之变形量，求得上述吸附力。如请求项7或8之玻璃基板之吸附脱离方法，其中藉由被覆上述吸附板之吸附面以外之表面且接地之导电性构件，使上述吸附板之吸附面以外之表面电位成为0。 |
