| 主权项 |
一种电子构件，包含：一积体电路晶片；一接触垫形成于该积体电路晶片上；一保护层部分重叠于该接触垫上；一有机缓冲层形成于该接触垫上，且该有机缓冲层具有一底切结构，该底切结构从该第一导电层朝向该保护层而渐缩，并具有一外侧斜面，该外侧斜面接触于该保护层，且该外侧斜面与该保护层之间的夹角小于90度，其中该第一导电层未覆盖该外侧斜面；一第一导电层形成于该有机缓冲层上，并连接到该接触垫；以及一第二导电层形成于该第一导电层上。依据申请专利范围第1项所述之电子构件，其中，该有机缓冲层包括一第一接触面，其对应于该接触垫与该保护层，以及一第二接触面，其对应于该第一导电层。依据申请专利范围第2项所述之电子构件，其中，该第一接触面之面积，系小于该第二接触面之面积，以形成该底切结构。依据申请专利范围第2项所述之电子构件，其中，该第一接触面之投影，系位于该第二接触面之投影内，以形成该底切结构。依据申请专利范围第2项所述之电子构件，其中，该第一接触面与该第二接触面皆平行于该积体电路晶片。依据申请专利范围第1项所述之电子构件，其中，该底切结构系为一环绕结构。依据申请专利范围第1项所述之电子构件或半导体装置，其中，该接触垫之材料可为铝、铝合金或其组合。依据申请专利范围第1项所述之电子构件，其中，该保护层系无机氧化物。依据申请专利范围第1项所述之电子构件，其中，该保护层之材料可为氧化矽、氮化矽、氮氧化矽或其组合。依据申请专利范围第1项所述之电子构件，其中，该有机缓冲层之材料为聚合物。依据申请专利范围第9项所述之电子构件，其中，该有机缓冲层之材料为光阻材料。依据申请专利范围第10项所述之电子构件，其中，该有机缓冲层之材料为聚亚醯胺。依据申请专利范围第1项所述之电子构件，其中，该第一导电层包括一第一子层及一第二子层，且该第二子层系堆叠于该第一子层上。依据申请专利范围第1项所述之电子构件，其中，该第一导电层之材料包括钛、钨、金、其合金或其组合。依据申请专利范围第1项所述之电子构件，其中，该第二导电层之材料包括金、锡、铅、其合金或其组合。依据申请专利范围第1项所述之电子构件，其中，该第二导电层具有一容室。依据申请专利范围第15项所述之电子构件，其中，该容室系对应于该第一导电层与该接触垫之连接处。依据申请专利范围第15项所述之电子构件，其中，该容室具有一第一腔室及一第二腔室。依据申请专利范围第18项所述之电子构件，其中，该第一腔室系位于该有机缓冲层与该第二导电层中。依据申请专利范围第18项所述之电子构件，其中，该第二腔室位于该第二导电层中。依据申请专利范围第18项所述之电子构件，其中，该第一腔室之底部截面，大于该第一腔室之开口截面。依据申请专利范围第18项所述之电子构件，其中，该第一腔室之开口截面投影，系位于该第一腔室之底部截面投影内。依据申请专利范围第16项所述之电子构件，其中，该容室之深度大于该第一导电层与该第二导电层之厚度。依据申请专利范围第16项所述之电子构件，其中，该容室之深度小于该第一导电层、该第二导电层与该有机缓冲层之厚度。一种半导体装置，包含：一积体电路晶片；一接触垫形成于该积体电路晶片上；一保护层部分重叠于该接触垫上；一有机缓冲层形成于该接触垫上，且该有机缓冲层具有一底切结构，该底切结构从该第一导电层朝向该保护层而渐缩，并具有一外侧斜面，该外侧斜面接触于该保护层，且该外侧斜面与该保护层之间的夹角小于90度，其中该第一导电层未覆盖该外侧斜面；一第一导电层形成于该有机缓冲层上，并连接到该接触垫；一第二导电层形成于该第一导电层上；以及一基板与一黏着剂，该基板系设置于该第二导电层上，且该黏着剂系配置于该基板与该积体电路晶片之间。依据申请专利范围第24项所述之半导体装置，其中，该第二导电层具有一容室，且该黏着剂具有一填充部分填充于该容室内。依据申请专利范围第24项所述之半导体装置，其中，该黏着剂的材料可为导电黏胶或非导电黏胶。依据申请专利范围第24项所述之半导体装置，其中，该黏着剂的材料可为异方性导电胶、异方性导电胶膜、非导电胶或非导电胶膜。 |
