| 主权项 |
一种研磨方法，其包含：使一配置在一旋转台上之研磨垫与该旋转台一起旋转；及在自一相对于该研磨垫之一表面倾斜的方向，将一化学流体供应给在一基板之一操作侧上的该研磨垫之该表面，并同时藉由使用该旋转之研磨垫研磨该基板之一表面，其中该化学流体系自一喷嘴口从该研磨垫之一实质中心向该研磨垫之一外侧供应，该喷嘴口配置于该研磨垫之一实质中心位置，且朝向该研磨垫之该外侧及该基板之该操作侧。如请求项1之研磨方法，其中供应该化学流体，使得该化学流体与该研磨垫之一中心侧相接触而非与该基板之一末端相接触。如请求项1之研磨方法，其中一导电材料膜形成在该基板上，且上面形成有该导电材料膜之该基板系用于研磨该导电材料膜。如请求项1之研磨方法，其中一导电材料膜形成在该基板上，该导电材料膜系被研磨，且在该导电材料膜已被研磨之后之该基板系用于为清洗而研磨该导电材料膜。如请求项1之研磨方法，其中一氧化矽膜形成在该基板上，上面形成有该氧化矽膜之该基板系用于研磨该氧化矽膜。一种研磨方法，其包含：使一配置在一旋转台上之研磨垫与该旋转台一起旋转；及在自一相对于该研磨垫之一表面倾斜的方向，将一化学流体供应给在一基板之一操作侧上的该研磨垫之该表面，并同时藉由使用该旋转之研磨垫研磨该基板之一表面，其中该化学流体系自一喷嘴口从该研磨垫之一外侧向该研磨垫之一实质中心供应，该喷嘴口配置于该研磨垫之一外侧位置，且朝向该研磨垫之该实质中心及该基板之该操作侧。如请求项6之研磨方法，其中供应该化学流体，使得该化学流体与该研磨垫之一实质外圆周相接触。如请求项6之研磨方法，其中供应该化学流体，使得该化学流体与一在该研磨垫之该实质中心与该研磨垫之一实质外圆周之间的实质中间位置相接触。如请求项1之研磨方法，其中该化学流体系自该喷嘴以60度或以下之一角度供应给该研磨垫之该表面。一种半导体装置之制造方法，其包含：在一基板之一表面上形成一薄膜；及在自一相对于一旋转之研磨垫之一表面倾斜的方向，将一化学流体供应给在该基板之一操作侧上的该研磨垫之该表面，并同时藉由使用该研磨垫而研磨该薄膜，其中该化学流体系自一喷嘴口从该研磨垫之一实质中心向该研磨垫之一外侧供应，该喷嘴口配置于该研磨垫之一实质中心位置，且朝向该研磨垫之该外侧及该基板之该操作侧。如请求项10之方法，其中供应该化学流体，使得该化学流体与该研磨垫之一中心侧相接触而非与该基板之一末端相接触。如请求项10之方法，其进一步包含：在该薄膜已被研磨之后，为清洗而再研磨该薄膜，同时自该相对于该研磨垫之该表面倾斜的方向，将一清洗液体供应给在该基板之该操作侧上的该研磨垫之该表面。如请求项10之方法，其中使用一导电材料膜作为该薄膜。如请求项10之方法，其中使用一氧化矽膜作为该薄膜。一种半导体装置之制造方法，其包含：在一基板之一表面上形成一薄膜；及在自一相对于一旋转之研磨垫之一表面倾斜的方向，将一化学流体供应给在该基板之一操作侧上的该研磨垫之该表面，并同时藉由使用该研磨垫而研磨该薄膜，其中该化学流体系自一喷嘴口从该研磨垫之一外侧向该研磨垫之一实质中心供应，该喷嘴口配置于该研磨垫之一外侧位置，且朝向该研磨垫之该实质中心及该基板之该操作侧。如请求项15之方法，其中供应该化学流体，使得该化学流体与该研磨垫之一实质外圆周相接触。如请求项15之方法，其中供应该化学流体，使得该化学流体与一在该研磨垫之该实质中心与该研磨垫之一实质外圆周之间的实质中间位置相接触。如请求项10之方法，其中该化学流体系自该喷嘴以60度或以下之一角度供应给该研磨垫之该表面。 |
