| 主权项 |
一种多频天线，系设置于一基板上，用以辐射一低频频段以及一高频频段，该多频天线系进一步包含：一低频倒F型(PIFA)辐射体，包含一低频辐射部，系横向设置于该基板上方，并与该基板保持间距，一接地辐射部，系自该低频辐射部中段横向延伸后，转折向该基板延伸以衔接一接地点，一馈入辐射部，系与该接地辐射部并列，并自该低频辐射部之末端横向延伸后，转折向该基板延伸以衔接一馈入点；一低频微带辐射体，系与该接地辐射部并列于相对该馈入辐射部之另一侧，并自该低频辐射部之另一末端横向延伸；以及一高频辐射体，系自该馈入辐射部相对于该倒F型辐射体之反向横向延伸；其中该低频倒F型辐射体与该低频微带辐射体协同产生该低频频段，该高频辐射体系产生该高频频段。如申请专利范围第1项所述之多频天线，其中该多频天线系为一双频段天线。如申请专利范围第1项所述之多频天线，其中该多频天线系为一单极倒F型平板天线。如申请专利范围第3项所述之多频天线，其中于一行动通讯装置中系包含相对设置之二单极倒F型平板天线，以及设置于该二单极倒F型平板天线间之印刷式平板天线，藉以使该行动通讯装置产生多重输入输出讯号。如申请专利范围第4项所述之多频天线，其中该多频天线系符合IEEE 802.11n协定之规范。如申请专利范围第1项所述之多频天线，其中该馈入点以及该接地点系设置于该基板。如申请专利范围第1项所述之多频天线，其中该低频微带辐射体进一步包含一低频次微带部，该低频次微带部系自该低频微带辐射体异于衔接该低频辐射部之末端，转折向该高频辐射体之方向延伸。如申请专利范围第1项所述之多频天线，其中该高频辐射体进一步包含一高频次辐射部，该高频次辐射部系自该高频辐射体与该低频辐射部并列且异向之边缘，转折向该基板延伸。如申请专利范围第1项所述之多频天线，其中该多频天线受限于20mm*25mm*5mm之立方体积范围内。一种具有多重输入输出讯号之多频天线结构，系设置于一基板上，用以辐射一低频频段以及一高频频段，该多频天线结构系进一步包含：一印刷式平板天线，系辐射出该低频频段以及该高频频段；以及二单极倒F型平板天线，该印刷式平板天线系设置于该二单极倒F型平板天线间，该二单极倒F型平板天线进一步包含一低频倒F型(PIFA)辐射体，该低频倒F型(PIFA)辐射体系进一步包含一低频辐射部、一接地辐射部、以及一馈入辐射部，该低频辐射部系横向设置于该基板上方，并与该基板保持间距，该接地辐射部系自该低频辐射部中段横向延伸后，转折向该基板延伸以衔接一接地点，该馈入辐射部系与该接地辐射部并列，并自该低频辐射部之末端横向延伸后，转折向该基板延伸以衔接一馈入点，一低频微带辐射体，系与该接地辐射部并列于相对该馈入辐射部之另一侧，并自该低频辐射部之另一末端横向延伸，一高频辐射体，系自该馈入辐射部相对于该低频倒F型辐射体之反向横向延伸，其中该低频倒F型辐射体与该低频微带辐射体协同产生该低频频段，该高频辐射体系产生该高频频段。如申请专利范围第10项所述之多频天线结构，其中该多频天线结构系符合IEEE 802.11n协定之规范。如申请专利范围第10项所述之多频天线结构，其中该馈入点以及该接地点系设置于该基板。如申请专利范围第10项所述之多频天线结构，其中该低频微带辐射体进一步包含一低频次微带部，该低频次微带部系自该低频微带辐射体异于衔接该低频辐射部之末端，转折向该高频辐射体之方向延伸。如申请专利范围第10项所述之多频天线结构，其中该高频辐射体进一步包含一高频次辐射部，该高频次辐射部系自该高频辐射体与该低频辐射部并列且异向之边缘，转折向该基板延伸。如申请专利范围第10项所述之多频天线结构，其中该单极倒F型平板天线受限于20mm* 25mm* 5mm之立方体积范围内。 |
