发明名称 浸润式微影方法及系统
摘要
申请公布号 申请公布日期 2011.09.01
申请号 TW095136760 申请日期 2006.10.03
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 张庆裕;林进祥;林本坚;鲁定中
分类号 G03F7/20;G03F7/30;H01L21/027 主分类号 G03F7/20
代理机构 代理人 蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼
主权项 一种浸润式微影方法,包含:提供一基板,该基板上涂布一光阻层;配置一导电流体在该基板和一微影系统的一物镜间,其中该导电流体包含缓冲溶液、酸溶液、硷溶液、盐溶液或介面活性剂溶液,使该导电流体的导电度高于10-5S/m;配置一浸润流体定位模组以容纳该导电流体,该浸润流体定位模组包含一第一接地结构,以将该浸润流体定位模组接地;使用一辐射光曝光该光阻层,该辐射光通过该物镜和该导电流体,照射于该光阻层上。如申请专利范围第1项所述之浸润式微影方法,其中该导电流体包含顺丁烯二酸盐、磷酸盐、氯醋酸盐、甲酸盐、苯甲酸盐、醋酸盐、丙酸盐、比啶、对二氮已环、三(羟甲基)甲基甘氨酸、双(羟乙基)甘氨酸、乙醇胺、甲胺、氮已环、碳酸/重碳酸、羧酸或蛋白质。如申请专利范围第1项所述之浸润式微影方法,更包含:烘烤该光阻层;以及在一显影溶液中显影该光阻层。一种浸润式微影方法,包含:置放一基板于一微影系统之一载座上,该基板上涂布一光阻层,其中该载座包含一图案化导电涂布层;配置一浸润流体在该基板和一物镜模组间;藉由离子淋浴加入离子以增强该浸润流体的导电度至高于10-5S/m;使用一辐射光曝光该光阻层,该辐射光通过该浸润流体,由于该浸润流体的导电性加强,降低该浸润流体静电放电的程度。一种浸润式微影系统,包含:一物镜模组具有一前表面;一载座位于该物镜模组的该前表面之下;一流体定位模组,该流体定位模组使一流体至少部分填满该前表面和该载座上一基板间的空间,其中该流体之导电度高于10-5S/m,该流体定位模组包含一接地结构;以及一放电元件,包含一离子淋浴器,以释放离子,俾用以降低静电放电的程度。如申请专利范围第5项所述之浸润式微影系统,其中该放电元件包含一导电结构整合于该载座上。如申请专利范围第5项所述之浸润式微影系统,更包含一二氧化碳水产生器。如申请专利范围第7项所述之浸润式微影系统,其中该二氧化碳水产生器将二氧化碳通入一去离子水中。
地址 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号