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一种半导体感测装置之制造方法，系执行以下步骤：使用：具有多数半导体感测晶片的半导体感测基板，该半导体感测晶片具有可动部及设于该可动部周围的接合区域；及具有多数帽盖晶片的帽盖基板，该帽盖晶片具有四边形基底，及沿基底周边设为区块状之接合区域；使帽盖基板积层于半导体感测晶片之上下面之至少一面，使帽盖晶片之接合区域接合于半导体感测晶片之接合区域，藉由帽盖晶片封装半导体感测晶片之可动部而设为半导体感测组装基板；使半导体感测组装基板浸渍于湿蚀刻液，对帽盖基板进行厚度方向之湿蚀刻使其薄肉化，将帽盖基板分割为帽盖晶片；在帽盖基板之薄肉化同时或其后，将半导体感测基板分割为半导体感测晶片而设为在半导体感测晶片安装有帽盖晶片的半导体感测组装体；将半导体感测组装体接着固定于基板上、以配线连接半导体感测晶片与基板之间，藉由树脂进行基板上之半导体感测组装体之模塑。如申请专利范围第1项之半导体感测装置之制造方法，其中，在半导体感测组装基板浸渍于湿蚀刻液期间，对半导体感测基板之多数半导体感测晶片周边自上面及下面起进行湿蚀刻而将半导体感测基板分割为半导体感测晶片，设为在半导体感测晶片安装有帽盖晶片的半导体感测组装体。如申请专利范围第1项之半导体感测装置之制造方法，其中，使半导体感测组装基板浸渍于湿蚀刻液对帽盖基板进行厚度方向之湿蚀刻使其薄肉化后，对半导体感测基板进行机械加工或雷射加工分割为半导体感测晶片，设为在半导体感测晶片安装有帽盖晶片的半导体感测组装体。如申请专利范围第1项之半导体感测装置之制造方法，其中，帽盖基板具有：在接合区域以外之表面具有绝缘性保护膜的多数帽盖晶片。 |
