| 主权项 |
一种在一层中蚀刻一特征部位之方法，包含下列步骤：在该层之上形成由一聚合物材料构成的一底层；在该底层之上形成一上影像层；使该上影像层暴露于图样产生辐射；在该上影像层中使一图样显影；将该上影像层中之该图样硬化，其中将该上影像层中之该图样硬化之该步骤包含下列步骤：使该上影像层暴露于一含电浆的氧气中，并蚀刻小于25%的该底层；以一还原乾式蚀刻法将该图样自该上影像层转移到该底层；以及经由底层而蚀刻该层，其中系将该上影像层完全去除，且系将该底层用来作为蚀刻该层而将该图样自底层转移到该层期间的一图样罩幕层。如申请专利范围第1项之方法，其中将该图样自该上影像层转移到该底层之该步骤包含下列步骤：提供一还原气体；自该还原气体产生一电浆；以及以来自该还原气体的该电浆蚀刻该底层。如申请专利范围第2项之方法，其中该还原气体是不含氧气的。如申请专利范围第3项之方法，其中该还原气体在自该还原气体产生的该电浆中提供了一氮气成分及氢气成分。如申请专利范围第4项之方法，其中该还原气体进一步包含一烃。如申请专利范围第5项之方法，其中该还原气体进一步包含一氢氟碳化合物。如申请专利范围第1项之方法，其中该含氧电浆系产生自一含氧气体，该含氧气体中氧气气流至少为该含氧气体气流的4%。如申请专利范围第1项之方法，其中该硬化具有小于500瓦特的偏压电力。如申请专利范围第1项之方法，进一步包含下列步骤：去除该底层。如申请专利范围第4项之方法，其中该还原气体进一步包含一氢氟碳化合物。如申请专利范围第1项之方法，其中该硬化不具有偏压电力。如申请专利范围第1项之方法，其中该上影像层具有比该底层更高浓度的矽。如申请专利范围第1项之方法，其中该上影像层包含矽，且该底层实质上不含矽。如申请专利范围第1项之方法，进一步包含下列步骤：在将该图样自该上影像层转移之前，在该上影像层中形成二氧化矽。如申请专利范围第1项之方法，进一步包含下列步骤：去除该底层。一种蚀刻一层中之一特征部位之方法，包含下列步骤：在该层之上形成由一聚合物材料构成的一底层；在该底层之上形成一上影像层；使该上影像层暴露于图样产生辐射；在该上影像层中使一图样显影；将该上影像层硬化；将该图样自该上影像层转移到该底层，包含下列步骤：提供一不含氧之还原气体；自该不含氧之还原气体产生一电浆；以来自该不含氧之还原气体的该电浆来蚀刻该底层；以及经由底层而蚀刻该层，其中系将该上影像层完全去除，且系将该底层用来作为蚀刻该层而将该图样自底层转移到该层期间的一图样罩幕层。如申请专利范围第16项之方法，其中将该上影像层硬化之该步骤包含下列步骤：在只能蚀刻小于25%的该底层之一段时间中，使该上影像层暴露于一含电浆的氧气。如申请专利范围第17项之方法，其中该上影像层具有一比该底层的浓度高之矽。如申请专利范围第17项之方法，其中系自含有氧气气流大于4%的总气流的气体之一氧气产生该含电浆之氧气。如申请专利范围第16项之方法，其中将该上影像层硬化之该步骤包含下列步骤：使该上影像层暴露于一含电浆之氧气，其中系自含有氧气气流大于4%的总气流的气体之一氧气产生该含电浆之氧气。一种在一基材上的一层中蚀刻一特征部位之装置，包含：可将该基材置于其内的一制程室；可将不同的气体化学品提供给该制程室之一气体源；自该等气体化学品产生一电浆之一离子化电源；以可控制之方式被连接到该气体源及离子化电源之一控制器，其中该控制器包含电脑可读取的媒体，而该电脑可读取的媒体包含：用来提供一还原气体之若干电脑指令；用来激励该还原气体而产生可蚀刻一底层的一电浆之若干电脑指令；用来终止对该底层的蚀刻之若干电脑指令；用来提供一层蚀刻剂之若干电脑指令；以及用来激励该层蚀刻剂而产生可蚀刻该层的一电浆之若干电脑指令。如申请专利范围第21项之装置，其中该电脑可读取的媒体进一步包含：用来提供一含气体的氧气之若干电脑指令；以及用来自该含气体的氧气产生一电浆以便将一上影像层硬化之若干电脑指令。如申请专利范围第16项之方法，其中该还原气体在自该还原气体所产生的该电浆中提供氮物种及氢物种。如申请专利范围第23项之方法，其中该还原气体进一步包含一碳氢化合物。如申请专利范围第24项之方法，其中该还原气体进一步包含一氢氟碳化合物。如申请专利范围第16项之方法，其中将该上影像层硬化不具有偏压电力。如申请专利范围第14项之方法，其中在该上影像层中形成二氧化矽不会在该底层中形成二氧化矽。 |
