| 主权项 |
一种使用氧化亚氮的回蚀制程之方法，即在一个孔洞内产生一有机栓塞的方法，该栓塞位于具有含矽介电材料之IC结构内，该方法包括：第一步骤，在IC结构使用一种有机化合物，使有机化合物占据孔洞和IC表面；第二步骤，将氧化亚氮气体(N2O)注入反应器；第三步骤，在反应器产生一种电浆；以及第四步骤，移除部份的有机化合物使有机栓塞占据孔洞。如申请专利范围第1项所述之方法，其中该方法所使用之有机化合物是一种抗反射涂覆层(ARC)。如申请专利范围第1项所述之方法，其中该方法所使用之有机化合物是一种底部抗反射涂覆层(BARC)。如申请专利范围第1项所述之方法，其中该方法进一步包括利用氧化亚氮与稀释剂混合来产生混合气体，以及在反应器使用该混合气体。如申请专利范围第4项所述之方法，其中该方法所使用之稀释剂是一种高贵气体。如申请专利范围第1项所述之方法，其中该产生有机栓塞的方法运用在双镶嵌制程的众多步骤之一。如申请专利范围第1项所述之方法，其中该方法所使用的含矽介电材料系自有机矽酸盐玻璃(OSG)、氧化矽(SiO2)及氟矽玻璃(FSG)中选用。一种使用氧化亚氮的回蚀制程之方法，即在一个具有第一层光阻剂层、第二层中介层及第三层含矽介电层之IC结构中的孔洞产生一种有机栓塞的方法，该方法包括：第一步骤，在IC结构使用一种有机化合物，使有机化合物占据孔洞和IC表面；第二步骤，将氧化亚氮气体(N2O)注入反应器；第三步骤，在反应器生成一种电浆；以及第四步骤，移除部份的有机化合物以在孔洞中产生有机栓塞。如申请专利范围第8项所述之方法，其中该方法所使用之有机化合物是一种抗反射涂覆层(ARC)。如申请专利范围第8项所述之方法，其中该方法所使用之有机化合物是一种底部抗反射涂覆层(BARC)。如申请专利范围第8项所述之方法，其中该方法进一步包括利用氧化亚氮与稀释剂混合来产生混合气体，以及在反应器使用该混合气体。如申请专利范围第11项所述之方法，其中该方法所使用之稀释剂是一种高贵气体。如申请专利范围第8项所述之方法，其中该产生有机栓塞的方法运用在双镶嵌制程的众多步骤之一。如申请专利范围第8项所述之方法，其中该方法所使用的含矽介电材料系自有机矽酸盐玻璃(OSG)、氧化矽(SiO2)及氟矽玻璃(FSG)中选用。一种使用氧化亚氮的回蚀制程之方法，即在一个具有第一层光阻剂层、第二层中介层及第三层含矽介电层之IC结构中的孔洞内产生一种有机栓塞的方法，该方法包括：第一步骤，在IC结构使用一种有机化合物，其中该有机化合物是一种底部抗反射涂覆层(BARC)，该有机化合物占据孔洞和IC结构的表面；第二步骤，将氧化亚氮气体(N2O)注入反应器；第三步骤，在反应器生成一种电浆；以及第四步骤，移除部份的有机化合物以在孔洞中产生有机栓塞。如申请专利范围第15项所述之方法，其中该方法进一步包括利用氧化亚氮与稀释剂混合来产生混合气体，以及在反应器使用该混合气体。如申请专利范围第16项所述之方法，其中该方法所使用之稀释剂是一种高贵气体。如申请专利范围第16项所述之方法，其中该方法所使用的含矽介电材料系自有机矽酸盐玻璃(OSG)、氧化矽(SiO2)及氟矽玻璃(FSG)中选用。如申请专利范围第18项所述之方法，其中该产生有机栓塞的方法运用在双镶嵌制程的众多步骤之一。 |
