| 主权项 |
一种制造退火晶圆之方法，包括：以切克劳斯基(Czochralski)方法生长一掺杂氮之矽单晶，并于晶体生长期间控制V/G相对值及于1100至1000℃之冷却速率，其中V为拉伸速率(公厘/分钟)，G是自熔点至1350℃在晶体生长轴方向上之平均温度梯度(℃/公厘)，V/G相对值为(V/G)/((V/G)crit)，(V/G)crit为对应于未添加氮之矽单晶中V区域及I区域边界之部分的V/G值，其中V/G相对值为1.3至1.5且该冷却速率为4℃/分钟或更快；自该掺杂氮之矽单晶切割出一矽单晶晶圆，氮浓度为大于或等于1 x 1014原子/立方公分且小于或等于5 x 1014原子/立方公分，其中该矽单晶晶圆不包含V区域(该区域内尺寸为50奈米或更大之孔隙之体积密度为1 x 105/立方公分或更高)及I区域(该区域内尺寸为1微米或更大之位错蚀坑之密度为10/平方公分或更高)，并且不包含其中孔隙尺寸为50奈米至150奈米、孔隙密度为大于或等于104/立方公分且小于或等于105/立方公分之区域；以及在杂质为5 ppm或更低之一稀有气体氛围中、或在非氧化氛围中，于大于或等于1150℃且小于或等于1250℃之温度下，对该矽单晶晶圆进行热处理，历时大于或等于10分钟且小于或等于2小时，其中一氧化物薄膜之厚度系于该热处理后缩限到2奈米或更低。 |
