<p>Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Waferäquivalents, bei dem auf ein perforiertes Substrat dotierte Halbleiterschichten aufgebracht und im Anschluss kristallisiert werden. Ebenso betrifft die vorliegende Erfindung ein auf mit dem voranstehenden Verfahren hergestelltes Waferäquivalent sowie dessen Verwendungszwecke.</p>
申请公布号
WO2011103994(A1)
申请公布日期
2011.09.01
申请号
WO2011EP00826
申请日期
2011.02.21
申请人
FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FOERDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.;ALBERT-LUDWIGS-UNIVERSITAET FREIBURG;JANZ, STEFAN;MITCHELL, EMILY;LINDEKUGEL, STEFAN
发明人
ALBERT-LUDWIGS-UNIVERSITAET FREIBURG;JANZ, STEFAN;MITCHELL, EMILY;LINDEKUGEL, STEFAN