发明名称 Waferäquivalent, Verfahren zu dessen Herstellung sowie Verwendung
摘要 <p>Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Waferäquivalents, bei dem auf ein perforiertes Substrat dotierte Halbleiterschichten aufgebracht und im Anschluss kristallisiert werden. Ebenso betrifft die vorliegende Erfindung ein auf mit dem voranstehenden Verfahren hergestelltes Waferäquivalent sowie dessen Verwendungszwecke.</p>
申请公布号 DE102010009454(A1) 申请公布日期 2011.09.01
申请号 DE20101009454 申请日期 2010.02.26
申请人 FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FOERDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.;ALBERT-LUDWIGS-UNIVERSITAET FREIBURG 发明人 JANZ, STEFAN, DR.;MITCHELL, EMILY;LINDEKUGEL, STEFAN
分类号 H01L21/205;H01L21/324;H01L31/068;H01L31/18 主分类号 H01L21/205
代理机构 代理人
主权项
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