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发明名称 SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要 <p>On a semiconductor substrate, a semiconductor device is provided with a gate insulating film, a pMIS or nMIS metallic material, a gate electrode material and a gate sidewall metal layer.</p>
申请公布号 WO2011104782(A1) 申请公布日期 2011.09.01
申请号 WO2010JP05438 申请日期 2010.09.03
申请人 PANASONIC CORPORATION;KANEGAE, KENSHI 发明人 KANEGAE, KENSHI
分类号 H01L29/78;H01L21/336;H01L21/8238;H01L21/8244;H01L27/092;H01L27/11;H01L29/423;H01L29/49 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
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