Metallisierungssystem eines Halbleiterbauelements mit verrundeten Verbindungen, die durch Hartmaskenverrundung hergestellt sind

摘要

In komplexen Metallisierungssystemen werden vertikale Kontakte und Metallleitungen auf der Grundlage einer dualen Einlegestrategie hergestellt, wobei eine Kantenverrundung oder Eckenverrundung an der Grabenhartmaske vor dem Bilden der Kontaktlochöffnungen auf der Grundlage eines selbstjustierten Kontaktloch/Grabenkonzepts angewendet wird. Folglich können selbstjustierte Verbindungsstrukturen erhalten werden, während gleichzeitig für bessere Füllbedingungen während des Abscheidens von Barrierenmaterialien und leitenden Füllmaterialien gesorgt wird.