发明名称 Disposition semi-conductrice avec passage p-n, de préférence transitor
摘要
申请公布号 FR1131582(A) 申请公布日期 1957.02.25
申请号 FRD1131582 申请日期 1955.08.05
申请人 SIEMENS & HALSKE A. G. 发明人
分类号 C30B31/04;H01L21/00;H01L21/228;H01L21/24;H01L29/00;H01L29/06;H01L29/167;H01L29/86 主分类号 C30B31/04
代理机构 代理人
主权项
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