Feldeffekttransistoren für Flash-Speicher mit einem selbstjustierten Ladungsspeichergebiet

摘要

Speichertransistoren für Flash-Speicherbereiche in Halbleiterbauelementen werden auf der Grundlage eines selbstjustierten Ladungsspeichergebiets hergestellt. Dazu wird ein schwebendes Abstandshalterelement in einigen anschaulichen Ausführungsformen vorgesehen, während in anderen Fällen das Ladungsspeichergebiet effizient in das Elektrodenmaterial in selbstjustierender Weise während eines Austauschgateverfahrens eingebettet wird. Folglich kann eine erhöhte Bitdichte erreicht werden, da zusätzlichdes Ladungsspeichergebiets nicht mehr erforderlich sind.