Transistoren mit Metallgateelektrodenstrukturen mit großemεund angepassten Kanalhalbleitermaterialien

摘要

In komplexen Halbleiterbauelementen wird ein Austauschgateverfahren angewendet, in welchem ein Kanalhalbleitermaterial durch die Gateöffnung hindurch vor dem Ausbilden des Gatedielektrikumsmaterials und des Elektrodenmaterials vorgesehen wird. Auf diese Weise können spezielle Kanalmaterialien in einer späten Fertigungsphase für unterschiedliche Transistortypen bereitgestellt werden, wodurch ein besseres Transistorleistungsverhalten und ein höherer Grad an Flexibilität bei der Einstellung der elektronischen Eigenschaften der Transistoren erreicht werden.