发明名称 |
在CMOS工艺中单片集成光子元件与电子元件 |
摘要 |
本发明揭示在CMOS工艺中单片集成光子元件与电子元件,且所述单片集成可包含以不同的硅层厚度在单一CMOS晶片上制造光子和电子装置。可利用块体CMOS工艺在绝缘体上半导体(SOI)晶片上且/或利用SOICMOS工艺在SOI晶片上制造所述装置。可利用双重SOI工艺和/或选择性区域生长工艺来制造所述不同的厚度。可在CMOS晶片上利用一次或一次以上氧植入和/或利用CMOS晶片上的CMOS沟槽氧化物来制造覆层。可利用外延横向过生长在所述CMOS沟槽氧化物上沉积硅。可利用选择性背面蚀刻来制造覆层。可通过在选择性蚀刻的区上沉积金属来制造反射表面。可将集成于所述CMOS晶片中的二氧化硅或硅锗用作蚀刻终止层。 |
申请公布号 |
CN102171606A |
申请公布日期 |
2011.08.31 |
申请号 |
CN200980139256.8 |
申请日期 |
2009.09.08 |
申请人 |
乐仕特拉公司 |
发明人 |
蒂埃里·潘盖;斯特芬·格勒克纳;彼得·德多伯拉尔;谢里夫·阿布达拉;丹尼尔·库哈尔斯基;吉安洛伦佐·马西尼;横山公成;约翰·古肯伯格;阿蒂拉·梅基什 |
分类号 |
G02F3/00(2006.01)I;H04L27/144(2006.01)I |
主分类号 |
G02F3/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 |
代理人 |
孟锐 |
主权项 |
一种用于半导体处理的方法,所述方法包括:在具有用于光子和电子装置的不同硅层厚度的单一互补金属氧化物半导体(CMOS)晶片中制造所述光子装置和所述电子装置。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |