发明名称 一次可编程电阻随机存储器、读写电路及其编程方法
摘要 本发明属于电阻随机存储器技术领域,具体为一种一次可编程(OTP)电阻随机存储器、读写电路及其编程方法。该OTP电阻随机存储器利用OTP电阻随机存储器采用对称的2T2R结构、并依靠分别通过两个存储电阻R的电流大小的相互比对以判别数据存储状态,同时,结合OTP电阻随机存储器用户只需要一次编程的特点,将OTP电阻随机存储器中存储电阻R均置于高阻态交付给用户编程使用。该OTP电阻随机存储器具有用编程功耗低、面积小、抗功耗分析攻击的特点,尤其适用于嵌入式应用。
申请公布号 CN102169719A 申请公布日期 2011.08.31
申请号 CN201010113753.5 申请日期 2010.02.25
申请人 复旦大学 发明人 林殷茵;金钢
分类号 G11C16/02(2006.01)I;G11C16/10(2006.01)I;G11C16/26(2006.01)I 主分类号 G11C16/02(2006.01)I
代理机构 上海正旦专利代理有限公司 31200 代理人 陆飞;盛志范
主权项 一种一次可编程电阻随机存储器,其特征在于包括:第一存储电阻,用于选通所述第一存储电阻的第一选通管,第二存储电阻,以及用于选通所述第二存储电阻的第二选通管;一次可编程操作之前,第一存储电阻和第二存储电阻都置于高阻态;一次可编程操作时,将其中一个存储电阻置位操作为低阻态;其中,所述存储电阻为二元或者二元以上的多元金属氧化物,所述第一存储电阻和第二存储电阻分别连接于第一位线、第二位线。
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