发明名称 |
一次可编程电阻随机存储器、读写电路及其编程方法 |
摘要 |
本发明属于电阻随机存储器技术领域,具体为一种一次可编程(OTP)电阻随机存储器、读写电路及其编程方法。该OTP电阻随机存储器利用OTP电阻随机存储器采用对称的2T2R结构、并依靠分别通过两个存储电阻R的电流大小的相互比对以判别数据存储状态,同时,结合OTP电阻随机存储器用户只需要一次编程的特点,将OTP电阻随机存储器中存储电阻R均置于高阻态交付给用户编程使用。该OTP电阻随机存储器具有用编程功耗低、面积小、抗功耗分析攻击的特点,尤其适用于嵌入式应用。 |
申请公布号 |
CN102169719A |
申请公布日期 |
2011.08.31 |
申请号 |
CN201010113753.5 |
申请日期 |
2010.02.25 |
申请人 |
复旦大学 |
发明人 |
林殷茵;金钢 |
分类号 |
G11C16/02(2006.01)I;G11C16/10(2006.01)I;G11C16/26(2006.01)I |
主分类号 |
G11C16/02(2006.01)I |
代理机构 |
上海正旦专利代理有限公司 31200 |
代理人 |
陆飞;盛志范 |
主权项 |
一种一次可编程电阻随机存储器,其特征在于包括:第一存储电阻,用于选通所述第一存储电阻的第一选通管,第二存储电阻,以及用于选通所述第二存储电阻的第二选通管;一次可编程操作之前,第一存储电阻和第二存储电阻都置于高阻态;一次可编程操作时,将其中一个存储电阻置位操作为低阻态;其中,所述存储电阻为二元或者二元以上的多元金属氧化物,所述第一存储电阻和第二存储电阻分别连接于第一位线、第二位线。 |
地址 |
200433 上海市邯郸路220号 |