| 发明名称 | 纹理化半导体衬底的改进方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及纹理化半导体衬底的改进方法，提供了一种清洁半导体衬底的方法，包括：a)用碱性或酸性的硅蚀刻溶液清洁半导体衬底；b)用包含一种或多种氧化剂的氧化组合物氧化清洁后的半导体衬底表面，该氧化组合物具有大于7的pH值；以及c)纹理化该氧化的半导体衬底。纹理化的半导体可用于光电器件的制造。 | ||
| 申请公布号 | CN102169818A | 申请公布日期 | 2011.08.31 |
| 申请号 | CN201010625130.6 | 申请日期 | 2010.12.17 |
| 申请人 | 罗门哈斯电子材料有限公司 | 发明人 | R·K·巴尔;C·欧康纳 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;C11D1/835(2006.01)I;C11D3/04(2006.01)I;C11D3/60(2006.01)I;C11D7/08(2006.01)I;C11D7/10(2006.01)I;C11D7/26(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 项丹 |
| 主权项 | 一种方法，包括：a)用碱性或酸性的硅蚀刻溶液清洁半导体衬底；b)用包含一种或多种氧化剂的氧化组合物氧化清洁后的半导体衬底表面，该氧化组合物具有大于7的pH值；以及c)纹理化该氧化的半导体衬底。 | ||
| 地址 | 美国马萨诸塞州 | ||