| 发明名称 | 用于测量磁场的传感器元件、磁场传感器和用于制造传感器元件的方法 | ||
| 摘要 | 一种用于测量磁场的传感器元件（42，42’），具有晶片结构（12），该晶片结构（12）具有半导体衬底（13）、绝缘层（14，14’）和半导体层（15，15’）。传感器元件具有穿过绝缘层（14，14’）穿通接触的凸模（16，16’），该凸模带有半导体衬底端面（17）、半导体层端面（18）和在半导体衬底（13）中的成对的平行的侧面（19；19’），其中所述端面（17，18）和侧面（19；19’）具有带有高导电性的区段（28，29，30），并且所述凸模（16，16’）在内部（27）中具有带低导电性的掺杂。 | ||
| 申请公布号 | CN102169955A | 申请公布日期 | 2011.08.31 |
| 申请号 | CN201110003497.9 | 申请日期 | 2011.01.10 |
| 申请人 | 罗伯特·博世有限公司 | 发明人 | T.奥姆斯;M.凯克 |
| 分类号 | H01L43/06(2006.01)I;H01L43/14(2006.01)I;G01R33/07(2006.01)I | 主分类号 | H01L43/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 李少丹;李家麟 |
| 主权项 | 一种用于测量磁场的传感器元件（42，42’），具有晶片结构（12），其特征在于，该晶片结构（12）具有半导体衬底（13）、绝缘层（14，14’）和半导体层（15，15’），并且传感器元件具有穿过绝缘层（14，14’）穿通接触的凸模（16，16’），该凸模带有半导体衬底端面（17）、半导体层端面（18）和在半导体衬底（13）中的成对的平行的侧面（19；19’），其中所述端面（17，18）和侧面（19；19’）具有带有高导电性的区段（28，29，30），并且所述凸模（16，16’）在内部（27）中具有带低导电性的掺杂。 | ||
| 地址 | 德国斯图加特 | ||