一种制备纳米尺度氧化硅沟槽的方法

摘要

本发明提供了一种制备纳米尺度氧化硅沟槽的方法，属于纳米加工技术领域。该方法包括：在氧化硅衬底上直接生长或沉积碳纳米管，在碳纳米管上再沉积一氧化硅薄膜，随后，用氢氟酸溶液刻蚀掉氧化硅薄膜，即可在氧化硅衬底上得到纳米尺度沟槽。本发明利用碳纳米管增强刻蚀特性，在室温下制备纳米尺度氧化硅沟槽。该沟槽形状取决于碳纳米管的形状，刻蚀时不受表面形貌变化的影响；沟槽的位置和方向可通过预先调整碳纳米管的位置和取向来控制，沟槽的宽度和深度可通过控制刻蚀时间和碳纳米管的直径来控制。本发明与现有硅基工艺兼容，可实现大规模、大面积的纳米尺度氧化硅沟槽的制备。

主权项

一种制备纳米尺度氧化硅沟槽的方法，包括如下步骤：1)在表面具有氧化硅层的衬底上直接生长碳纳米管；2)在上述碳纳米管上沉积厚度为20nm‑‑100nm的氧化硅薄膜；3)用水和氢氟酸的体积比为10∶1‑‑3∶1的氢氟酸溶液或TMAH碱性溶液腐蚀掉上述氧化硅薄膜，在衬底上得到纳米尺度的沟槽。