| 发明名称 | 磷硅镉多晶料的合成方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及磷硅镉多晶料的合成方法，按硅∶镉∶磷＝1∶1∶2～2.05摩尔比，将纯度为99.999％的磷、硅、镉三种单质原料装入合成坩埚中，将合成坩埚装入石英管中；抽真空后封结石英管；将石英管装入单温区合成炉中，使单温区炉升温、保温，合成完成后降至室温，打开合成坩埚即得到磷硅镉多晶料。本发明方法可以制备出高纯度的磷硅镉多晶料，用于高质量的磷硅镉单晶生长。 | ||
| 申请公布号 | CN102168305A | 申请公布日期 | 2011.08.31 |
| 申请号 | CN201110083363.2 | 申请日期 | 2011.04.02 |
| 申请人 | 山东大学 | 发明人 | 陶绪堂;张国栋;王善朋;施琼;阮华棚;蒋民华 |
| 分类号 | C30B28/02(2006.01)I;C30B29/10(2006.01)I | 主分类号 | C30B28/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人 | 许德山 |
| 主权项 | 磷硅镉多晶料的合成方法，步骤如下：1)将纯度为99.999％的磷、硅、镉三种单质原料按硅∶镉∶磷＝1∶1∶2～2.05摩尔比装入合成坩埚中；将合成坩埚装入石英管中，抽真空至2×10‑4Pa以下后封结石英管；2)将上述真空封结的石英管装入单温区炉的炉管中，将单温区炉从室温以30～50℃/h的升温速率升温至350‑750℃，然后在此温度保温20～25h；然后以15～20℃/h的升温速率升温至1140～1160℃，在此温度保温20～35h，然后以50～100℃/h降温速率降温至300℃，再自然降温至室温，打开合成坩埚即得到磷硅镉多晶料。 | ||
| 地址 | 250100 山东省济南市历下区山大南路27号 | ||