| 发明名称 | 光电二极管具有铟连接层的图像传感器像素 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种采用PIN型光电二极管的有源像素，该像素包括一设在半导体基体内的光电二极管，该光电二极管为形成于P-型区域内的N-区域。该光电二极管还进一步包括位于所述N-区域上方的P+连接层，该P+连接层是由铟植入或铟/硼植入而形成的。本发明的像素可进一步包括设在光电二极管与浮动节点之间的传输晶体管，以将信号选择性地从光电二极管传输至浮动节点。本发明的像素可更进一步地包括被浮动节点控制的放大晶体管。 | ||
| 申请公布号 | CN1841791B | 申请公布日期 | 2011.08.31 |
| 申请号 | CN200510126641.2 | 申请日期 | 2005.12.02 |
| 申请人 | 豪威科技有限公司 | 发明人 | 霍华德·E·罗德斯 |
| 分类号 | H01L31/105(2006.01)I;H01L27/146(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/105(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人 | 戴建波 |
| 主权项 | 一种像素，其包括一设在半导体基体内的光电二极管，该光电二极管为形成于P‑型区域内的N‑区域，而且该光电二极管进一步包括一位于所述半导体基体表面且位于所述N‑区域上方的P+连接层，该P+连接层是在所述半导体基体内由铟和硼的双重植入而形成的。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||