一种多晶硅的生产方法

摘要

本发明涉及一种多晶硅的生产方法，它是通过向反应器中连续通入由氢气和含硅气体构成的混合气体作为原料气，在所述反应器中所述原料气发生反应，由此生产多晶硅的方法，其包括通过调节作为原料气的所述氢气的进气量M，和/或调节作为原料气的所述含硅气体的进气量N，使所述氢气和所述含硅气体的摩尔比值Q满足特定的关系式，并当硅棒直径长到85-100mm时Q值维持恒定至反应结束的步骤。根据本发明的多晶硅生产方法，能够提高还原过程中三氯氢硅的单程转化率和多晶硅的生长速度。

主权项

一种多晶硅的生产方法，它是通过向反应器中连续通入包括氢气和含硅气体的混合气体作为原料气，在所述反应器中，所述原料气发生反应，通过化学气相沉积生产多晶硅的方法，其特征在于，通过调节作为原料气的所述氢气的进气量M，和/或调节作为原料气的所述含硅气体的进气量N，使所述氢气和含硅气体的摩尔比值Q满足如下关系式：Qt1＞Qt3且Qt3＜Qt2式中，Qt1是从所述多晶硅的生产方法开始至t1小时的时刻，作为原料气的所述氢气和所述含硅气体的摩尔比；Qt2是从所述多晶硅的生产方法开始至t2小时的时刻，作为原料气的所述氢气与所述含硅气体的摩尔比；Qt3是从所述多晶硅的生产方法开始至t3小时的时刻，作为原料气的所述氢气与所述含硅气体的摩尔比；Qt3是摩尔比值Q中的最小值；t1是0或正实数，t3和t2是正实数，且t1＜t3＜t2；其中，在所述反应器中，所述原料气发生反应，通过化学气相沉积，生成的高纯度多晶硅不断沉积在硅芯上，使硅芯的直径逐渐变粗而形成多晶硅棒，当硅棒直径长到85～100mm时，所述Q值维持恒定至反应结束。