| 发明名称 | 在鳍式场效应晶体管器件中提高迁移率的金属栅应力膜 | ||
| 摘要 | 一种CMOS FinFET半导体器件提供了在半导体鳍(fin)上包括压缩应力金属栅极层的NMOS FinFET(鳍式场效应晶体管)器件和在半导体鳍上包括拉伸应力金属栅极层的PMOS FinFET器件。形成该器件的工艺包括选择性地将形成在PMOS器件上的压缩金属栅极膜转化成拉伸应力金属栅极膜的选择性退火工艺。 | ||
| 申请公布号 | CN101677085B | 申请公布日期 | 2011.08.31 |
| 申请号 | CN200910133931.8 | 申请日期 | 2009.04.10 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 许俊豪;万幸仁;叶致锴;张智胜 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/321(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 马铁良 |
| 主权项 | 一种形成CMOS FinFET(鳍式场效应晶体管)器件的方法，包括：在衬底上形成多个NMOS和PMOS区，且在所述NMOS和PMOS区中的每一个中形成多个半导体鳍(Fin)；在所述NMOS和PMOS区上形成压缩PVD(物理气相沉积)金属层；将形成在所述PMOS区中的所述压缩PVD金属层选择性地转化为拉伸金属层；和形成覆盖在所述NMOS区的所述压缩PVD金属层上的和覆盖在所述PMOS区的所述拉伸金属层上的栅电极；其中所述形成压缩PVD金属层包括分别在所述PMOS区的所述半导体鳍上形成第一压缩PVD金属层和在所述NMOS区的所述半导体鳍上形成第二压缩PVD金属层，其中所述选择性地转化包括当第一压缩PVD金属层设置在所述PMS区的所述半导体鳍上时和当所述第二压缩PVD金属层未出现在所述NMOS区中时，执行尖峰或激光退火。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||