| 发明名称 | 化合物半导体装置 | ||
| 摘要 | 一种化合物半导体装置，其具有：基板；半导体层叠结构，其包括形成在所述基板上方的由氮化物半导体构成的载流子传输层；形成于所述半导体层叠结构上方的栅电极、源电极和漏电极；绝缘膜，其位于所述半导体层叠结构上方，且形成在栅电极与源电极之间、以及栅电极与漏电极之间；所述绝缘膜中的、形成在栅电极与源电极之间、以及栅电极与漏电极之间的开口；以及填入所述开口的氧化铝膜。 | ||
| 申请公布号 | CN102169894A | 申请公布日期 | 2011.08.31 |
| 申请号 | CN201110055876.2 | 申请日期 | 2006.09.20 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 多木俊裕;冈本直哉 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L29/20(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 黄纶伟 |
| 主权项 | 一种化合物半导体装置，其特征在于，具有：基板；半导体层叠结构，其包括形成在所述基板上方的由氮化物半导体构成的载流子传输层；形成于所述半导体层叠结构上方的栅电极、源电极和漏电极；绝缘膜，其位于所述半导体层叠结构上方，且形成在栅电极与源电极之间、以及栅电极与漏电极之间；所述绝缘膜中的、形成在栅电极与源电极之间、以及栅电极与漏电极之间的开口；以及填入所述开口的氧化铝膜。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县川崎市 | ||