| 发明名称 |
一种半导体存储器器件及其制造方法 |
| 摘要 |
本发明公开了一种半导体存储器器件，它包括一个源极、一个漏极、一个浮栅区、一个控制栅极、一个平面沟道区域以及一个用于连接浮栅区和漏极的栅控二极管。所述的半导体存储器器件，用浮栅区存储信息，用栅控二极管将浮栅与衬底连接，并通过该栅控二极管对浮栅进行充电或放电。本发明采用自对准工艺制造，工序简单且稳定，而且本发明采用平面沟道结构，可以兼容逻辑电路和闪存器件的制造。 |
| 申请公布号 |
CN102169882A |
申请公布日期 |
2011.08.31 |
| 申请号 |
CN201010115090.0 |
申请日期 |
2010.02.26 |
| 申请人 |
苏州东微半导体有限公司 |
发明人 |
王鹏飞;刘磊;刘伟 |
| 分类号 |
H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种半导体存储器器件，包括：一个源极、一个漏极、一个浮栅区、一个控制栅极、一个平面沟道区域以及一个用于连接浮栅区和漏极的栅控二极管。 |
| 地址 |
215021 江苏省苏州市工业园区星湖街218号纳米科技园C2组团201室 |
