发明名称 |
一种基于硫属化合物纳米晶的薄膜太阳能电池 |
摘要 |
一种基于三/四元硫属化合物纳米晶的薄膜太阳能电池,由金属对电极、三/四元硫属化合物纳米晶吸光层、二氧化钛纳米棒阵列、透明导电层和透明基底组成,其中硫属化合物包括CuInSxSe2-x(x=0-2)和AgInS2,纳米晶的平均粒径为(2-12)nm;二氧化钛纳米棒阵列在导电玻璃上生长,在硫属化合物纳米晶和二氧化钛纳米棒阵列之间可设有硫化铟缓冲层。本发明的优点:与传统的无机化合物薄膜太阳能电池相比,本发明具有电极材料合成条件温和、电池制备工艺简便易行等优点,具有应用于廉价薄膜太阳能电池的潜在优势。 |
申请公布号 |
CN102169910A |
申请公布日期 |
2011.08.31 |
申请号 |
CN201110007896.2 |
申请日期 |
2011.01.14 |
申请人 |
南开大学 |
发明人 |
梁静;彭生杰;梁衍亮;程方益;陶占良;陈军 |
分类号 |
H01L31/04(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/04(2006.01)I |
代理机构 |
天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 |
代理人 |
侯力 |
主权项 |
一种基硫属化合物纳米晶的薄膜太阳能电池,其特征在于:由金属对电极、三元或四元硫属化合物纳米晶吸光层、硫化铟缓冲层、二氧化钛纳米棒阵列、透明导电层和透明基底组成;所述金属对电极为金或银或二者任意方式的结合;所述三元或四元硫属化合物纳米晶吸光层中的硫属化合物为CuInSxSe2‑x(x=0-2)或AgInS2,纳米晶的平均粒径为(2-12)nm;所述二氧化钛纳米棒阵列中的纳米棒直径为(50-200)nm,厚度为(1-10)mm,纳米棒之间的空隙为(50-200)nm,纳米棒沿着透明基底垂直生长;所述透明基底为镀有掺氟氧化锡或铟锡氧化物导电层的玻璃。 |
地址 |
300071 天津市南开区卫津路94号 |