一种Ⅱ-Ⅵ族水溶性硒化物半导体量子点的制备方法

摘要

本发明提供了一种Ⅱ-Ⅵ族水溶性硒化物半导体量子点的制备方法，具体步骤为在可溶性镉盐、可溶性锌盐、或可溶性汞盐的溶液中加入稳定剂后调节pH值至碱性，然后，在惰性气氛下，通入硒化氢气体，反应至所述溶液呈浅黄色透明，制得前躯体溶液；其中，可溶性镉盐、可溶性锌盐或可溶性汞盐与稳定剂的摩尔比为1：3-1：2。将前躯体溶液进行高温高压快速生长，制得所述Ⅱ-Ⅵ族水溶性硒化物半导体量子点。本发明制备方法操作简单，成本低，毒性小，所制备的Ⅱ-Ⅵ族水溶性硒化物半导体量子点可直接用于生物荧光标识、临床诊断等实验。

主权项

一种Ⅱ‑Ⅵ族水溶性硒化物半导体量子点的制备方法，其特征在于，所述方法依次包括如下步骤：a).配制前躯体溶液：在可溶性镉盐、可溶性锌盐、或可溶性汞盐的溶液中加入稳定剂后调节PH值至碱性，然后，在惰性气氛下，通入硒化氢气体，反应至所述溶液呈浅黄色透明，即制得所述前躯体溶液；其中，所述可溶性镉盐、可溶性锌盐或可溶性汞盐与所述稳定剂的摩尔比为1：3‑1：2； b).量子点的生长：将所述前躯体溶液进行高温高压快速生长，制得所述Ⅱ‑Ⅵ族水溶性硒化物半导体量子点。