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发明名称 SCHOTTKY POWER DIODE COMPRISING A SICOI SUBSTRATE AND THE METHOD OF PRODUCING ONE SUCH DIODE
摘要
申请公布号 EP1483793(B1) 申请公布日期 2011.08.31
申请号 EP20030727583 申请日期 2003.03.12
申请人 COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIESALTERNATIVES;S.O.I. TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES 发明人 TEMPLIER, FRANCOIS;BILLON, THIERRY;DAVAL, NICOLAS
分类号 H01L29/872;H01L21/04;H01L21/338;H01L29/24;H01L29/47;H01L29/786;H01L29/812 主分类号 H01L29/872
代理机构 代理人
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