发明名称 |
TFT-LCD像素结构及其制造方法 |
摘要 |
本发明涉及一种TFT-LCD像素结构及其制造方法,结构包括数据线、栅线、公共电极线、薄膜晶体管和像素电极,所述栅线与所述数据线交叉定义一像素单元,所述薄膜晶体管形成在所述栅线和数据线的交叉处,所述数据线位于每一像素单元的中间,所述数据线的侧面形成有至少二个控制同一个像素电极的薄膜晶体管,所述公共电极线与所述数据线平行,并与所述像素电极形成至少二个存储电容。本发明还提供了一种TFT-LCD像素结构的制造方法。本发明涉及的TFT-LCD像素结构及其制造方法通过在同一像素单元设置多个薄膜晶体管和存储电容,有效降低大型的TFT-LCD生产中发生各种不良的几率,提高产品的良率。 |
申请公布号 |
CN101644863B |
申请公布日期 |
2011.08.31 |
申请号 |
CN200810117877.3 |
申请日期 |
2008.08.06 |
申请人 |
北京京东方光电科技有限公司 |
发明人 |
洪美花;夏子祺;张志男 |
分类号 |
G02F1/1362(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I |
主分类号 |
G02F1/1362(2006.01)I |
代理机构 |
北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 |
代理人 |
刘芳 |
主权项 |
一种TFT‑LCD像素结构,包括数据线、栅线、公共电极线、薄膜晶体管和像素电极,所述栅线与所述数据线交叉定义一像素单元,所述薄膜晶体管形成在所述栅线和数据线的交叉处,其特征在于,所述数据线位于每一像素单元的中间,所述数据线的侧面形成有至少二个控制同一个像素电极的薄膜晶体管,所述公共电极线与所述数据线平行,并与所述像素电极形成至少二个存储电容。 |
地址 |
100176 北京市经济技术开发区西环中路8号 |