发明名称 |
半导体元件的预烧装置及其预烧方法 |
摘要 |
一种半导体元件的预烧装置及其预烧方法,其主要是包括有一主预烧舱,此主预烧舱内可装设有至少一插槽基板,此插槽基板上设有多个插槽,各插槽可插接一预烧板,该预烧板上设有多个测试插座,各测试插座可容置一半导体元件;至少一缓冲预烧舱,此缓冲预烧舱与主预烧舱相连的一侧设有一闸门可与主预烧舱相通;以及一控制装置,可分别控制主预烧舱、缓冲预烧舱的温度及主预烧舱内各插槽的电压。 |
申请公布号 |
CN101493493B |
申请公布日期 |
2011.08.31 |
申请号 |
CN200810003872.8 |
申请日期 |
2008.01.24 |
申请人 |
京元电子股份有限公司 |
发明人 |
李明宪;谢荣修 |
分类号 |
G01R31/26(2006.01)I;G01R31/00(2006.01)I |
主分类号 |
G01R31/26(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
汤保平 |
主权项 |
一种具有多舱结构的半导体元件预烧装置,其特征在于,包括:一主预烧舱,该主预烧舱内配置有多个预烧板,每一该预烧板上设有多个测试插座,各测试插座可容置一半导体元件;一缓冲预烧舱,该缓冲预烧舱配置有一第一闸门与一第二闸门,同时该缓冲预烧舱可通过该第一闸门与该主预烧舱相通;一移载装置,该移载装置可移载该多个预烧板并移动于该第一闸门与该第二闸门之间;以及,一控制装置,该控制装置可分别控制该主预烧舱及该缓冲预烧舱的测试以及该移载装置。 |
地址 |
中国台湾新竹市 |