| 发明名称 | 一种基于多能级杂质改变半导体掺杂特性的半导体存储器 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体存储器，属于半导体器件技术领域。该半导体存储器包括一个N-P-N型或P-N-P-型半导体，其中，在N-P-N型半导体中的一个N型掺杂区或者P型掺杂区中掺入多能级杂质，或在P-N-P-型半导体中的一个P型掺杂区或者N型掺杂区中掺入多能级杂质。本发明通过控制多能级杂质，使其在施主能级和受主能级间进行转变，通过邻近区域间势垒的改变实现存储器关态或开态。 | ||
| 申请公布号 | CN102169891A | 申请公布日期 | 2011.08.31 |
| 申请号 | CN201110005329.3 | 申请日期 | 2011.01.12 |
| 申请人 | 北京大学 | 发明人 | 杨庚雨;黄如;唐昱;邹积彬 |
| 分类号 | H01L29/66(2006.01)I;G11C11/34(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人 | 贾晓玲 |
| 主权项 | 一种半导体存储器，包括一个N‑P‑N型或P‑N‑P‑型半导体，其特征在于，在N‑P‑N型半导体中的一个N型掺杂区或者P型掺杂区中掺入多能级杂质，或在P‑N‑P‑型半导体中的一个P型掺杂区或者N型掺杂区中掺入多能级杂质。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区颐和园路5号 | ||