发明名称 使用二维目标的光刻聚焦和剂量测量
摘要 为了确定曝光设备是否输出正确的辐射剂量以及其投影系统是否正确地聚焦辐射,在掩模上使用测试图案用于将特定标记印刷到衬底上。然后通过例如散射仪等检查设备测量该标记,以确定焦距和剂量以及其他相关性质是否存在误差。测试图案配置成使得焦距和剂量的这种改变可以容易地通过测量使用掩模曝光的图案的性质来确定。测试图案可以是二维图案,其中物理或几何性质,例如节距,在两个维度的每一个上是不同的。测试图案还可以是一维的图案,其由一维的结构的阵列构成,该结构由至少一个亚结构构成,该亚结构与焦距和剂量不同地相互作用并给出可以确定焦距和剂量的曝光图案。
申请公布号 CN102171618A 申请公布日期 2011.08.31
申请号 CN200980138923.0 申请日期 2009.10.02
申请人 ASML荷兰有限公司 发明人 C·李维斯;H·克拉莫;M·范德克尔克霍夫;J·奎达克尔斯;C·马特兹尤斯
分类号 G03F7/20(2006.01)I 主分类号 G03F7/20(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 王波波
主权项 一种测量曝光设备的与焦距和/或剂量相关的性质的方法,所述方法包括步骤:使用将要被测量的曝光设备和包括用于形成标记的图案的掩模在衬底上印刷标记,所述图案包括结构的阵列,所述阵列具有沿一个方向的能够被曝光设备分辨的节距和沿与第一方向不同的第二方向的不能被曝光设备分辨的节距;和测量已经使用掩模通过曝光设备曝光的衬底的性质,包括步骤:将辐射束投影到衬底上的标记上;检测从衬底上的标记反射的辐射;和由反射的辐射的性质确定曝光设备的与焦距和剂量相关的性质中的至少一个。
地址 荷兰维德霍温