| 发明名称 | 发光元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种发光元件(1)，其具有埋入结构的电流阻挡层(9)，电流阻挡层(9)的至少一部分的氧浓度高于发光层中的氧浓度，并且电流阻挡层(9)的厚度为5nm～100nm。在电流阻挡层(9)的下部含有蚀刻停止层(24)，蚀刻停止层(24)具有耐氧化性。采用本发明，可以提供一种电流限制效果得以提高、从而获得正向电压低且输出功率高的发光元件(1)及其制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN101322256B | 申请公布日期 | 2011.08.31 |
| 申请号 | CN200680045513.8 | 申请日期 | 2006.09.28 |
| 申请人 | 同和电子科技有限公司 | 发明人 | 坂本陵;岩田雅年;辻川进;小林良幸 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I;H01S5/183(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 陈建全 |
| 主权项 | 一种发光元件，其包括发光层和电流阻挡层，其特征在于：所述发光元件所具有的结构是：在所述发光层上依次层叠有蚀刻停止层和埋入结构的电流阻挡层；所述蚀刻停止层的组成为：AlxGayIn1‑x‑yP，其中，0≤x≤0.1、0≤y≤1、且0≤x+y≤1，或InyGa1‑yP，其中，0＜y＜1；所述电流阻挡层的组成为：AlxGayIn1‑x‑yP，其中，0.3≤x≤1、0≤y≤1、且0≤x+y≤1；所述电流阻挡层的至少一部分的氧浓度高于所述发光层中的氧浓度，并且所述电流阻挡层的厚度为5nm～100nm。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||