发明名称 |
一种高带宽多模光纤 |
摘要 |
本发明涉及一种用于接入网和小型化光器件中的高带宽多模光纤,包括有芯层和包层,其特征是芯层半径为15~35微米,芯层折射率剖面呈抛物线,最大相对折射率差Δ1%max大于0.8%,芯层外的包层从内到外依次为:内包层和/或下陷内包层、上升环、下陷外包层,各层相对折射率差同时满足如下关系:Δ1%max>Δ2%>Δ3%,Δ4%>Δ3%,Δ4%>Δ5%,Δ4%≥Δ2%。本发明显著降低了光纤宏弯附加衰减,提高了光纤的抗弯曲性能;光纤有上升环,使得光纤芯层的某些高阶模的能量从芯层转移或耦合到上升环的一些模式中去,从而有效提高弯曲不敏感多模光纤的带宽;本发明制造方法简便有效,适用于大规模生产。 |
申请公布号 |
CN101738681B |
申请公布日期 |
2011.08.31 |
申请号 |
CN201010029031.1 |
申请日期 |
2010.01.20 |
申请人 |
长飞光纤光缆有限公司 |
发明人 |
张方海;韩庆荣;拉吉·马泰 |
分类号 |
G02B6/02(2006.01)I;G02B6/028(2006.01)I;G02B6/036(2006.01)I |
主分类号 |
G02B6/02(2006.01)I |
代理机构 |
湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 |
代理人 |
胡建平 |
主权项 |
一种高带宽多模光纤,包括有芯层和包层,其特征在于芯层半径R1为15~35微米,芯层折射率剖面呈抛物线,最大相对折射率差Δ1%max大于0.8%,芯层外的包层从内到外依次为:内包层和/或下陷内包层、上升环、下陷外包层,内包层单边厚度W2为0~8微米,内包层相对折射率差Δ2%为‑0.1%~0.1%;下陷内包层单边厚度W3为0~20微米,下陷内包层相对折射率差Δ3%为‑0.15%~‑0.8%;内包层单边厚度W2和下陷内包层单边厚度W3不同时为0;上升环单边厚度W4为0.2~15微米,上升环相对折射率差Δ4%为‑0.01%~0.8%;下陷外包层单边厚度W5为1~50微米,下陷外包层相对折射率差Δ5%为‑0.15%~‑0.8%;各层相对折射率差同时满足如下关系:Δ1%max>Δ2%>Δ3%,Δ4%>Δ3%,Δ4%>Δ5%,Δ4%≥Δ2%;所述的相对折射率差是基于纯二氧化硅玻璃在850nm波长的折射率而得到。 |
地址 |
430073 湖北省武汉市武昌关山二路四号 |