| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 提供一种半导体器件，其具有多个电极焊盘(47)，配设在半导体元件(100)中的绝缘层上；多个导电层(51)，被配设为一端与上述电极焊盘(47)的露出部连接，并针对各个上述电极焊盘(47)而分别在上述绝缘层上延伸；突起电极(52)，配设在上述导电层(51)的另一端上；上述导电层(51)相对于上述多个电极焊盘(47)，向一定的方向延伸。 | ||
| 申请公布号 | CN101755334B | 申请公布日期 | 2011.08.31 |
| 申请号 | CN200780100002.6 | 申请日期 | 2007.07.25 |
| 申请人 | 富士通半导体股份有限公司 | 发明人 | 松木浩久;今村和之 |
| 分类号 | H01L23/12(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 向勇;浦柏明 |
| 主权项 | 一种半导体器件，其特征在于，具有：多个电极焊盘，配设在半导体衬底上的布线层上，绝缘层，以使上述电极焊盘露出的方式配设在上述布线层上，多个导电层，被配设为一端与上述电极焊盘的露出部连接，并且针对各个上述电极焊盘分别延伸配设在上述绝缘层上，所述多个导电层在从上述电极焊盘的露出部延伸的方向上宽度逐渐扩大，突起电极，配设在上述导电层的另一端；上述多个导电层相对于多个上述电极焊盘，向一定的方向延伸。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县横浜市 | ||