| 发明名称 | 射频识别标签及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种射频识别标签及其制造方法。根据本发明的一种射频识别标签包括布置在硅片的正面的核心电路块以及片上天线，其中所述硅片包括布置在所述硅片的背面的体硅层，所述体硅层包括：深槽阵列衬底层、以及布置于深槽阵列衬底层上方的剩余体硅层。本发明提供的射频识别标签的衬底损耗显著降低，能将天线有效集成在标签上，极大减小了射频标签芯片的面积；并且其相应的制备方法与现有CMOS工艺完全兼容，成本低廉，工艺简单，非常适合射频识别标签的大规模工业生产。 | ||
| 申请公布号 | CN102169552A | 申请公布日期 | 2011.08.31 |
| 申请号 | CN201110032448.8 | 申请日期 | 2011.01.28 |
| 申请人 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 发明人 | 李琛;王勇;陈寿面 |
| 分类号 | G06K19/077(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I | 主分类号 | G06K19/077(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种射频识别标签，其中射频识别标签包括布置在硅片的正面的核心电路块以及片上天线，其中所述硅片包括布置在所述硅片的背面的体硅层，其特征在于，所述体硅层包括：深槽阵列衬底层、以及布置于深槽阵列衬底层上方的剩余体硅层。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江高斯路497号 | ||