| 发明名称 | 一种高出光率发光二极管制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种高出光率发光二极管制造方法，包括如下步骤1)使用气相沉积方法制造LED发光部分(5)；2)生长至p型区域时，停止III族MO源的参与反应；3)通入掺杂型MO源做表面预处理而形成阻挡层(4)；4)使用气相沉积方法生长正常P型区域，使P型区域与阻挡层(4)间形成表面粗化层(3)。本发明解决了现有技术的缺点，提供了一种方法简单、出光率高的高出光率发光二极管制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN102169929A | 申请公布日期 | 2011.08.31 |
| 申请号 | CN201110045126.7 | 申请日期 | 2011.02.25 |
| 申请人 | 聚灿光电科技(苏州)有限公司 | 发明人 | 刘慰华 |
| 分类号 | H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种高出光率发光二极管制造方法，其特征在于：1)使用气相沉积方法制造LED发光部分(5)；2)生长至p型区域时，停止III族MO源的参与反应；3)通入掺杂型MO源做表面预处理而形成阻挡层(4)；4)使用气相沉积方法生长正常P型区域，使P型区域与阻挡层(4)间形成表面粗化层(3)。 | ||
| 地址 | 215123 江苏省苏州市工业园区新庆路8号 | ||