| 发明名称 | 用于n型或p型沟道晶体管的层叠结构及平面反向电路 | ||
| 摘要 | 本发明提供了用于n型或p型沟道晶体管的层叠结构及平面反向电路。在一实施例中，层叠结构可用于制造n型沟道晶体管。层叠结构包含一第一半导体层，具有一导带最低能阶EC1；一第二半导体层，具有一分离的空穴能阶H0；一宽能隙半导体阻挡层，位于此第一及此第二半导体层之间；一栅极介电层，位于此第一半导体层上；一栅极金属层，位于此栅极金属层上，其中此分离的空穴能阶H0低于导带最低能阶EC1，以施予零偏压至此栅极金属层。采用本发明实施例中的层叠结构的晶体管，具有增大的平均有效质量，并能急遽变换沟道载子密度及漏极电流。 | ||
| 申请公布号 | CN102169899A | 申请公布日期 | 2011.08.31 |
| 申请号 | CN201110034825.1 | 申请日期 | 2011.01.30 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 麦西亚斯·派斯雷克 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 张浴月;刘文意 |
| 主权项 | 一种用于n型沟道晶体管的层叠结构，包括：一第一半导体层，具有一导带最低能阶EC1；一第二半导体层，具有一分离的空穴能阶H0；一宽能隙半导体阻挡层，位于该第一及该第二半导体层之间；一栅极介电层，位于该第一半导体层上；以及一栅极金属层，位于该栅极介电层上；其中该分离的空穴能阶H0低于该导带最低能阶EC1，以施予零偏压至该栅极金属层。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||